[发明专利]一种高纯纳米级氢氧化钴的制备方法

权利要求书

1.一种高纯纳米级氢氧化钴的制备方法，采用均相沉淀法合成氢氧化钴，其特征是包括以下具体工艺步骤：

(一)配置溶液

a、配置浓度为0.2～2.5mol/l的硫酸钴水溶液；

b、配置浓度为3.0～12.0mol/l的氢氧化钠水溶液；

c、配置浓度为5.0～13.0mol/l的钴离子络合剂水溶液；

d、配置浓度为2.0～15.0mol/l的试剂A水溶液，试剂A为聚丙烯酰胺、水合联氨或硼氢化钠；

e、配置适量的添加剂水溶液，添加剂为二苯胺、抗坏血酸或双硫醚；

(二)合成反应

将已配置好的硫酸钴水溶液、氢氧化钠水溶液、钴离子络合剂水溶液、试剂A水溶液，分别按其流量比为1∶0.68～0.74∶0.048～0.054∶0.058～0.064连续输入到带搅拌的反应器中，发生化学反应后得到氢氧化钴悬浊液，控制反应温度为20～60℃；

(三)陈化

将所得的氢氧化钴悬浊液经反应器底阀输入陈化槽，同时将添加剂水溶液按氢氧化钴悬浊液重量比为1∶80～120的比例加入陈化槽并搅拌陈化2～6小时，可得到氢氧化钴陈化液；

(四)固液分离、洗涤

将所得氢氧化钴陈化液转入固液分离器进行固液分离，用纯净水洗涤固液分离所得的氢氧化钴至pH值不大于7为止；

(五)烘干成品

将固液分离、洗涤后所得的氢氧化钴放置在干燥箱中于50～95℃烘干40～80小时，既可得到氧化度极低的粉红色的高纯纳米级氢氧化钴产品。

2.根据权利要求1所述的一种制备高纯纳米级氢氧化钴的方法，其特征是所述的钴离子络合剂为氯化铵、氨水或硫酸铵。

3.根据权利要求1所述的一种制备高纯纳米级氢氧化钴的方法，其特征是所述的氢氧化钴产品平均比表面积为18～30m²/g，平均粒径为230～300nm。