[发明专利]高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子双束激光发射装置

权利要求书

1.高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子双束激光发射装置，其特征是：它由一个较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)、一个通过较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)的单电荷离子束输出输入通道(6、7、7’)和较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)相连接的扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)、一个通过扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)的高电荷离子束输出输入通道(18、25)和扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)相连接的扁跑道形高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子激发环(C)、以及它们所需的动力、电器、真空等附属设备组成，较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子注入段(A)和扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)安装在一个密封的抽成真空的扁长方体大电离箱(38)中，扁跑道形高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子激发环(C)安装在另一个固定在扁长方体大电离箱(38)上面的密封的抽成真空的扁长方体大激发箱(39)中，它们所需的动力、电器、真空等附属设备都安装在另一个位于扁长方体大电离箱(38)下面或旁边的可装卸的扁长方体大附件箱(40)中。

2.根据权利要求1所述的高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子双束激光发射装置，其特征是：所述较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)位于扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)的左边，它由一个装有高频感应加热电路的高温原子炉(1)、一个与高温原子炉(1)的宽大高小的小长方形炉口(2)相连接的加有略大于原子电离电位电压的较低速面电子流横向来回碰撞单电离区(a)、一个与较低速面电子流横向来回碰撞单电离区(a)相连接的加有一定电压的外面套有一个截面稍大的长方形通电导向螺线管(5’)的由11个比离子束(3)横截面稍大的平行长方形金属框(11)和高电阻(12)相间串联而成的梯度离子加速管(5)、一个与梯度离子加速管(5)连接的由上下两级90°偏转磁铁(6)和左右两带正电荷的金属条(7、7’)组成的单电荷离子束(4)输出输入通道(6、7、7’)构成，单电荷离子束(4)输出输入通道(6、7、7’)的末端和扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)中的电磁速度选择器(13)后端的入口相连。

3.根据权利要求1所述的高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子双束激光发射装置，其特征是：所述较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)，的较低速面电子流横向来回碰撞单电离区(a)由一个表面涂有BaO材料的宽度略大于原子束(3)厚度的处于原子束左侧的由细长钨片作成的通电热阴极(8)、一个与通电热阴极(8)平行相邻的由若干个面积略大于通电热阴极(8)面积的平行扁长方形金属框(8’)和高电阻(9)相间串联而成的发射腔(a’)和位于原子束(3)右侧与发射腔(a’)结构相同的位置对称的反射腔(a”)组成，发射腔(a’)两端所加的电压略大于原子的电离电位、方向向右，反射腔(a”)两端所加的电压和发射腔(a’)两端所加的电压大小相等、方向相反，在发射腔(a’)和反射腔(a”)外各套有一个横截面比发射腔(a’)和反射腔(a”)横截面稍大的扁长方形通电导向螺线管(10、10’)。