[发明专利]光电二极管装置的制造方法

权利要求书

1.一种光电二极管装置的制造方法，包含：

提供晶片，包含基板及外延层，其中该基板包含第一表面及第二表面，且该外延层形成于该第一表面上；

形成第一导电层于该基板的该第二表面；

形成图案化导电层于该外延层上；以及

以反应性离子蚀刻工艺并使用氩气及氦气做为蚀刻剂而蚀刻该图案化导电层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中该反应性离子蚀刻工艺是在10至30mTorr的压力范围下实施。

3.如权利要求2所述的制造方法，其中该反应性离子蚀刻工艺是使用流量在15至25sccm的氩气及氦气。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中该反应性离子蚀刻工艺是在功率为100至500瓦特、直流偏压为300至600伏特下进行。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中在蚀刻该图案化导电层的步骤之后，还包含：

以该图案化导电层为掩模，蚀刻该外延层，以暴露该基板的该第一表面。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中在形成该图案化导电层的步骤之前，还包含：

图案化该外延层，以形成多个外延结构，其中该图案化导电层覆盖该多个外延结构。

7.如权利要求5或6所述的制造方法，还包含：

共形地形成抗反射层于该图案化导电层之上；以及

图案化该抗反射层，以暴露出部分的该图案化导电层。

8.如权利要求1所述的制造方法，其中该外延层包含多个P-N结以及分别介于该多个P-N结之间的多个透明导电层。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中该多个P-N结分别具有不同的能级，且越接近该基板的P-N结具有越小的能级。

10.如权利要求9所述的制造方法，其中该多个P-N结包含GaInP层、GaAs层及GaInAs层。

11.如权利要求1所述的制造方法，其中该基板选自硅基板、锗基板或砷化镓基板，且其中该抗反射层材料包含二氧化硅、氮化硅、二氧化钛或氧化铝。

12.如权利要求1所述的制造方法，其中该形成该图案化导电层的步骤包含：

形成图案化光致抗蚀剂层于该外延层之上；

沉积第二导电层于该图案化光致抗蚀剂层之上；以及

使用剥离工艺去除该图案化光致抗蚀剂层及位于该图案化光致抗蚀剂层之上的部分该第二导电层，以形成该图案化导电层，其中该图案化导电层的厚度为约4μm至约6μm。