[发明专利]具外围假像素的影像传感器有效
申请号: | 200910164912.1 | 申请日: | 2009-07-29 |
公开(公告)号: | CN101989606A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 张宇轩 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蹇炜 |
地址: | 开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外围 像素 影像 传感器 | ||
1.一种具外围假像素的影像传感器,包含:
有源像素阵列,位于成像区;及
假像素,位于所述有源像素阵列的至少一部分与噪声源之间;
其中,相对于所述有源像素阵列,所述假像素的输出为浮接的。
2.如权利要求1所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的影像传感器为互补金属氧化物半导体影像传感器。
3.如权利要求1所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的假像素围绕所述有源像素阵列。
4.如权利要求3所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的假像素形成假像素环。
5.如权利要求4所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的假像素环具有矩形的形状。
6.如权利要求4所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的假像素环为封闭环。
7.如权利要求4所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的噪声源包含模拟电路、数字电路或参考暗像素阵列,其位于所述假像素环的外部。
8.如权利要求4所述的具外围假像素的影像传感器,还包含参考暗像素阵列,其受到所述假像素环的围绕。
9.如权利要求8所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的参考暗像素阵列包含至少一光遮像素。
10.如权利要求1所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的有源像素阵列包含:
光二极管;
传输门,用以传输所述光二极管的光信号;
重置门,用以重置所述光二极管至重置参考电压;
源极跟随器,用以缓冲所述光信号;及
选择器,用以致能所述源极跟随器的输出,使其藉由行总线被读出。
11.如权利要求1所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述的假像素包含:
光二极管;
传输门,用以持续传输所述光二极管的噪声信号;
重置门,用以持续重置所述光二极管;
源极跟随器,用以缓冲所述噪声信号;及
选择器,其具有浮接输出。
12.如权利要求11所述的具外围假像素的影像传感器,其中所述假像素的传输门及重置门一直被开启。
13.一种影像传感器,包含:
成像像素阵列,具有成像像素;
非成像像素环,围绕所述成像像素阵列;及
噪声源,位于所述非成像像素环的外部;
其中,源自所述噪声源的电荷受所述非成像像素的汲取。
14.如权利要求13所述的影像传感器,相对于所述成像像素阵列,所述的非成像像素的输出为浮接的。
15.如权利要求13所述的影像传感器,其中所述的影像传感器为互补金属氧化物半导体影像传感器。
16.如权利要求13所述的影像传感器,其中所述的非成像像素环具有矩形的形状。
17.如权利要求13所述的影像传感器,其中所述的非成像像素环为封闭环。
18.如权利要求13所述的影像传感器,其中所述的噪声源包含模拟电路、数字电路或参考暗像素阵列。
19.如权利要求13所述的影像传感器,还包含参考暗像素阵列,其受到所述非成像像素环的围绕。
20.如权利要求19所述的影像传感器,其中所述的参考暗像素阵列包含至少一光遮像素。
21.如权利要求13所述的影像传感器,其中所述的成像像素包含:
光二极管;
传输门,用以传输所述光二极管的光信号;
重置门,用以重置所述光二极管至重置参考电压;
源极跟随器,用以缓冲所述光信号;及
选择器,用以致能所述源极跟随器的输出,使其藉由行总线被读出。
22.如权利要求13所述的影像传感器,其中所述的非成像像素包含:
光二极管;
传输门,用以持续传输所述光二极管的噪声信号;
重置门,用以持续重置所述光二极管;
源极跟随器,用以缓冲所述噪声信号;及
选择器,其具有浮接输出。
23.如权利要求22所述的影像传感器,其中所述非成像像素的传输门及重置门一直被开启。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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