[发明专利]红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备

权利要求书

1.一种红色表面发射激光器元件，包括：

第一反射器；

包括p型半导体多层膜的第二反射器；

在所述第一反射器和所述第二反射器之间的活性层；

在所述活性层和所述第二反射器之间的P型半导体间隔层，所述p型半导体间隔层具有大于等于100nm且小于等于350nm的厚度；和

在所述p型半导体间隔层和所述活性层之间的另一个间隔层，所述另一个间隔层是杂质浓度比所述p型半导体间隔层低的半导体层。

2.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述另一个间隔层是非掺杂半导体层。

3.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述p型半导体间隔层的厚度大于等于150nm且小于等于300nm。

4.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述p型半导体间隔层含有铝、铟和磷。

5.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述p型半导体间隔层含有Al_xGa_yIn_1-x-yP，其中0.45≤x+y≤0.55，0.25≤x≤0.55，且0≤y≤0.30。

6.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述p型半导体间隔层含有Al_xGa_yIn_1-x-yP，其中0.50≤x+y≤0.52，0.35≤x≤0.52，且0≤y≤0.17。

7.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述p型半导体多层膜含有铝和砷。

8.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述p型半导体多层膜包括多个堆叠的层对，每个层对包括具有不同折射率的第一层和第二层；并且

所述第一层和所述第二层的至少一个含有铝、镓和砷。

9.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述第二反射器由具有与GaAs匹配的晶格的半导体材料构成。

10.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述活性层包括多个活性层。

11.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述活性层是包括由GaInP构成的层和由AlGaInP构成的层的量子阱活性层。

12.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述第一反射器包括n型半导体多层膜，且所述红色表面发射激光器元件还包括在所述第一反射器和所述活性层之间的n型半导体间隔层。

13.根据权利要求12所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述活性层、所述p型半导体间隔层和所述n型半导体间隔层构成共振器，且该共振器具有不对称结构，在该不对称结构中，所述活性层在腔长度方向上不位于所述共振器的中央。

14.根据权利要求13所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，所述p型半导体间隔层的厚度比所述n型半导体间隔层的厚度大。

15.根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件，其特征在于，包括所述活性层的共振器的腔长度大于等于1.5倍波长且小于等于4倍波长。

16.一种图像形成装置，包括：

根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件；和

偏转器，用于反射从所述激光器元件输出的激光束以进行扫描。

17.根据权利要求16所述的图像形成装置，还包括：

感光构件，其利用由所述偏转器偏转的光束形成静电潜像；

充电器；

显影器；和

定影器。

18.一种图像显示设备，包括：

根据权利要求1所述的红色表面发射激光器元件；以及

偏转器，用于反射从所述激光器元件输出的激光束以进行扫描。