[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200910164921.0 | 申请日: | 2009-07-29 |
公开(公告)号: | CN101640212A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 任劲赫 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/52;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;陈昌柏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
读出电路,位于第一衬底上;
互连件,包括有位于所述第一衬底上并且电连接到所述读出电路的第一互连件和第二互连件;
第一图像感测器件,位于所述第一互连件上方;以及
第二图像感测器件,位于所述第一图像感测器件上方,并且电连接到所述第二互连件。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括分离层,位于所述第一图像感测器件与所述第二图像感测器件之间。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括第三插塞,将所述第二图像感测器件电连接到所述第二互连件。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括电结区,位于所述第一衬底中,并且将所述第一互连件电连接到所述读出电路。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,还包括第一导电类型连接件,位于所述电结区与所述第一互连件之间。
6.根据权利要求4所述的图像传感器,其中所述读出电路在晶体管的源极与漏极之间具有电势差,所述电结区位于所述晶体管的源极。
7.一种制造图像传感器的方法,包括如下步骤:
于第一衬底上形成读出电路;
形成互连件,所述互连件包括有位于所述第一衬底上并且电连接到所述读出电路的第一互连件和第二互连件;
于所述第一互连件上方形成第一图像感测器件;以及
于所述第一图像感测器件上方形成电连接到所述第二互连件的第二图像感测器件。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括步骤:在于所述第一图像感测器件上方形成所述第二图像感测器件之前,于所述第一图像感测器件上方形成分离层。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括步骤:于所述第二互连件上方并且穿透所述分离层形成第三插塞。
10.根据权利要求7所述的方法,还包括步骤:在所述第一衬底中形成将被电连接到所述读出电路的电结区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的