[发明专利]AB类放大器电路和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及“AB”类放大器电路和包括通过AB类放大器电路驱动的显示面板的显示装置。

背景技术

作为AB类放大器电路的应用领域之一，存在已知的TFT_LCD(薄膜晶体管液晶显示)驱动器LSI(在下文中，被称为液晶驱动器)。用于液晶驱动器的AB类放大器电路驱动为液晶面板提供的电容负载(像素电容)。要求此种AB类放大器电路具有低功率消耗量并且能够以高速度充电和放电电容负载。

近年来，需要由AB类放大器电路驱动的用于TV的42英寸或者更大的大尺寸的TFT_LCD面板出现。大尺寸的TFT_LCD面板的负载电容大，并且驱动频率高。同样，因为当驱动速度增加时电流消耗量增加，所以芯片中的热量产生有时候会成为问题。根据上述理由，用于液晶驱动器的AB类放大器电路有可能需要增加驱动速度并且具有低的电流消耗量。

此外，近年来，由于TFT_LCD的价格下降，要求液晶驱动器的成本减少。作为液晶驱动器的成本减少的有效措施，应考虑收缩驱动器的芯片尺寸。为液晶驱动器中的缓冲器电路提供了被连接在电压跟随器构造中的多个AB类放大器电路(例如，400至700个电路)。即，液晶驱动器中的AB类放大器电路的占有率变高。因此，收缩AB类放大器电路的芯片尺寸是收缩液晶驱动器的芯片的关键。

在日本专利申请公开(JP 2005-124120A：第一传统示例)中，描述了用于液晶驱动器并且具有低电流消耗量的AB类放大器电路。图1是示出在第一传统示例中描述的AB类放大器电路的构造的电路图。该AB类放大器电路是所谓的轨对轨放大器。

参考图1，AB类放大器电路包括输入级电路10，该输入级电路10接收作为互补信号的信号INP和INM；中间级电路20，该中间级电路20被通过节点N1和N2与输入级电路10相连接；以及末级电路30，该末级电路30被通过节点N3和N4与中间级电路20相连接并且输出输出信号OUT。

输入级电路10包括：差分电路101，该差分电路101根据输入信号INP和INM将输出输出至节点N1；和差分电路102，该差分电路102根据输入信号INP和INM将输出输出至节点N2。差分电路101包括形成差分对的N沟道MOS晶体管MN11和N沟道MOS晶体管MN12。差分电路102包括形成差分对的P沟道MOS晶体管MP11和P沟道MOS晶体管MP12。通过此种构造，差分电路102在其中差分电路101没有进行操作的输入电压范围内进行操作，并且差分电路101在其中差分电路102没有进行操作的输入电压范围内进行操作。因此，能够获得在整个输入电压范围内进行操作的差分级。即，第一传统示例中的AB类放大器实现轨对轨构造。

在下文中，在下面将会描述AB类放大器电路的构造和操作。首先，将会描述差分电路101的构造。N沟道MOS晶体管MN11和N沟道MOS晶体管MN12形成第一差分对，以将它们的源极连接在一起。N沟道MOS晶体管MN15被连接在第一差分对和负电源(低电压侧的电源)VSS之间。详细地，N沟道MOS晶体管MN15的源极与负电源VSS相连接，其漏极与N沟道MOS晶体管MN11和N沟道MOS晶体管MN12的源极连接在一起，并且其栅极与恒压源端子BN11相连接。偏置电压(恒压)被施加于恒压源端子BN11并且N沟道MOS晶体管MN15用作恒流源。差分电路101进一步包括P沟道MOS晶体管MP13和MP14。P沟道MOS晶体管MP13和P沟道MOS晶体管MP14的源极与正电源(高电压侧的电源)VDD连接在一起。P沟道MOS晶体管MP13的漏极和栅极，以及P沟道MOS晶体管MP14的栅极与N沟道MOS晶体管MN11的漏极被连接在一起。P沟道MOS晶体管MP14的漏极和N沟道MOS晶体管MN12的漏极与节点N1被连接在一起。