[发明专利]制造面发射激光器及其阵列的方法和光学设备

权利要求书

1.一种制造面发射激光器的方法，所述面发射激光器包括提供在层叠的半导体层上的表面起伏结构，所述方法包含以下步骤：

在所述层叠的半导体层上形成第一介电膜；

在同一个工艺中将用于限定台面结构的第一图案和用于限定所述表面起伏结构的第二图案转移到所述第一介电膜；

通过使用所述第一图案和所述第二图案已经被转移到其上的所述第一介电膜将所述第一图案和所述第二图案转移到所述层叠的半导体层的表面；

在所述第一图案和所述第二图案已经被转移到其上的所述第一介电膜以及所述半导体层上形成第二介电膜；

去除在所述第一图案已经被转移到其上的所述半导体层上所形成的所述第二介电膜；以及

在已经去除所述第二介电膜的部分处形成所述台面结构。

2.根据权利要求1的方法，还包含以下步骤：在形成所述第二介电膜的步骤之后且在去除所述第二介电膜的步骤之前，在所述第二图案已经被转移到其上的所述第一介电膜上形成抗蚀剂。

3.根据权利要求1的方法，还包含以下步骤：在形成所述台面结构的步骤之后，通过选择性氧化所述半导体层中的一些层来形成电流限制结构。

4.根据权利要求3的方法，还包含以下步骤：在形成所述电流限制结构的步骤之后，去除所述第一介电膜和所述第二介电膜。

5.根据权利要求1的方法，还包含以下步骤：在形成所述台面结构的步骤之后，去除所述第一介电膜，从而在所述第二图案已经被转移到其上的所述半导体层上留下所述第二介电膜，

其中满足下列关系来制造所述面发射激光器

d＝(Nλ)/(2n_d)

其中d表示所述第二介电膜的膜厚，N表示等于或大于1的自然数，λ表示振荡波长，而n_d表示所述第二介电膜的折射率。

6.根据权利要求1的方法，其中通过干法刻蚀来执行形成所述台面结构的步骤。

7.根据权利要求1的方法，其中所述第一介电膜和所述第二介电膜中的一个由选自氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的材料形成。

8.根据权利要求1的方法，其中：所述第一图案和所述第二图案中的每一个为同心圆环形开口图案，所述第一图案的直径大于所述第二图案的直径。

9.根据权利要求1的方法，其中所述第一图案为同心圆环形开口图案；而所述第二图案为其直径小于所述第一图案的圆形开口图案。

10.根据权利要求1的方法，其中第一图案为同心的正方环形开口图案，所述同心的正方环形开口图案的边长大于所述第二图案。

11.根据权利要求1的方法，其中所述第一图案为同心的正方环形开口图案；而所述第二图案为其直径小于所述第一图案的圆形开口图案。

12.根据权利要求1的方法，其中所述第一图案的中心轴与所述第二图案的中心轴对准。