[发明专利]用于电浆蚀刻制程的气体扩散板有效
申请号: | 200910165099.X | 申请日: | 2009-07-30 |
公开(公告)号: | CN101989536A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 王振斌 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李树明 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 蚀刻 气体 扩散 | ||
【技术领域】
本发明是关于一种用于电浆蚀刻制程的装置,特别是关于一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板。
【背景技术】
由于液晶显示器具有低耗电以及轻、薄等优点,目前已逐渐取代传统的阴极射线管显示器。而在另一方面,由于科技的进步以及社会的需要,液晶显示器的尺寸也越来越大。为了制作大尺寸的液晶显示器,吾人必须使用更大尺寸的玻璃基板。另外,为了降低生产成本,液晶显示器面板的制造商也会在制程中使用大尺寸的玻璃基板,最后再将其切割成较小的基板。
然而,在利用大尺寸的玻璃基板制作液晶显示器时,常会遇到当初利用小尺寸的玻璃基板制作液晶显示器所未遇到的问题。参考图1,一种现有实行电浆蚀刻制程的装置100包含有一气体扩散板110及一电极120,气体扩散板110与电极120则位于一反应室130内。
在实行电浆蚀刻制程时,是将预先布设有一层薄膜的玻璃基板140置于电极120上,再由气体扩散板110将蚀刻气体150通入反应室130,以对玻璃基板140上的薄膜进行蚀刻,形成所要的元件。另外,参考图2,为了要让蚀刻气体150均匀地通入反应室130,气体扩散板110上设有数个均匀分布的开口112。
上述蚀刻气体150对薄膜进行蚀刻后,会从玻璃基板140的四周流出,并由泵160抽离反应室130。因此,玻璃基板140四周表面上的蚀刻气体150的流量会较玻璃基板140上中央区域的流量来得大,如此会造成玻璃基板140四周表面上的薄膜的蚀刻率较中央区域的蚀刻率为高,使得蚀刻均匀性降低。而当玻璃基板140的尺寸越大时,此一现象会变得更为明显。
【发明内容】
本发明提供一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板,能够提高蚀刻的均匀性。
本发明提供一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板,用以对一基板进行蚀刻,其特征在于:
该气体扩散板具有数个边界与一中心,在该气体扩散板上邻近该等边界处,各界定有一边界区域,该等边界区域的宽度由该等边界朝向该中心逐渐缩小,其中该气体扩散板上设置有数个开口,是用以将蚀刻气体通入一反应室内,该等开口基本上仅设置在除了该等边界区域以外的气体扩散板上。
本发明提供一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板,用以对一基板进行蚀刻,其特征在于:
该气体扩散板具有数个边界与一中心,在该气体扩散板上邻近该等边界处,各界定有一边界区域,该等边界区域的宽度由该等边界朝向该中心逐渐缩小,在围绕该中心且在该等边界区域之间处,界定有一环形区域,其中该气体扩散板上设置有数个开口,是用以将蚀刻气体通入一反应室内,该等开口基本上仅设置在除了该等边界区域与环形区域以外的气体扩散板上。
于第一实施例中,本发明的气体扩散板界定有一矩形区域,其具有四个边界与一中心。在矩形区域内邻近边界处,各界定有一边界区域,该等边界区域的宽度由边界朝中心逐渐缩小。而气体扩散板上除了边界区域的矩形区域内,设置有数个均匀分布的开口。
于第二实施例中,在围绕中心且在边界区域之间的矩形区域内,进一步界定有一环形区域,气体扩散板在该环形区域内亦未设置有开口。
为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显,下文将配合所附图示,作详细说明如下。
【附图说明】
图1:为现有实行电浆蚀刻制程的装置。
图2:为用于图1的装置的气体扩散板。
图3:为本发明的实行电浆蚀刻制程的装置。
图4:为本发明的气体扩散板。
图5:为本发明的气体扩散板的另一态样。
100蚀刻装置 110气体扩散板
112开口 120电极
130反应室 140基板
150蚀刻气体 160泵
300蚀刻装置 320电极
330反应室 340基板
350蚀刻气体 360泵
400气体扩散板 410矩形区域
412中心 414边界
420边界区域 430开口
440环形区域
【具体实施方式】
参考图3,本发明的实行电浆蚀刻制程的装置300包含有一气体扩散板400及一电极320,其中气体扩散板400的尺寸为1300mm*1200mm,且其与电极320均位于一反应室330内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造