[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括绝缘体层，被绝缘体层隔开的栅电极和有机半导体层，如此布置使之与有机半导体层接触的源电极和漏电极，及包含聚合物的支撑性基板，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2，且ε1与ε2的比值ε1/ε2至多为15，并且在支撑性基板屈服点的伸长率ε2至少为3.1％，其中ε1与ε2的单位为％。

2.根据权利要求1的场效应晶体管，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1与在支撑性基板屈服点的伸长率ε2的比值ε1/ε2至多为1.9。

3.根据权利要求1的场效应晶体管，其中所述绝缘体层的厚度为0.1～4μm。

4.根据权利要求2的场效应晶体管，其中所述绝缘体层的厚度为0.1～4μm。

5.根据权利要求1的场效应晶体管，其中所述支撑性基板的厚度为0.01～2mm。

6.根据权利要求2的场效应晶体管，其中所述支撑性基板的厚度为0.01～2mm。

7.根据权利要求3的场效应晶体管，其中所述支撑性基板的厚度为0.01～2mm。

8.根据权利要求4的场效应晶体管，其中所述支撑性基板的厚度为0.01～2mm。

9.根据权利要求1～8中任一项的场效应晶体管，其中所述栅电极布置在支撑性基板上，所述有机半导体层通过绝缘体层布置在栅电极上。

10.根据权利要求1～8中任一项的场效应晶体管，其中所述源电极和漏电极与绝缘体层接触。

11.根据权利要求9的场效应晶体管，其中所述源电极和漏电极与绝缘体层接触。

12.根据权利要求1～8中任一项的场效应晶体管，其中所述源电极和漏电极布置在有机半导体层上。

13.根据权利要求9的场效应晶体管，其中所述源电极和漏电极布置在有机半导体层上。

14.根据权利要求1～8中任一项的场效应晶体管，其中所述源电极和漏电极布置在支撑性基板上。

15.根据权利要求1～8中任一项的场效应晶体管，其中所述支撑性基板为选自聚酯，聚碳酸酯，无定形聚烯烃，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

16.根据权利要求9的场效应晶体管，其中所述支撑性基板为选自聚酯，聚碳酸酯，无定形聚烯烃，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

17.根据权利要求10的场效应晶体管，其中所述支撑性基板为选自聚酯，聚碳酸酯，无定形聚烯烃，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

18.根据权利要求11的场效应晶体管，其中所述支撑性基板为选自聚酯，聚碳酸酯，无定形聚烯烃，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

19.根据权利要求12的场效应晶体管，其中所述支撑性基板为选自聚酯，聚碳酸酯，无定形聚烯烃，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

20.根据权利要求14的场效应晶体管，其中所述支撑性基板为选自聚酯，聚碳酸酯，无定形聚烯烃，聚醚砜，聚酰胺及硅氧烷的塑料基板。

21.根据权利要求1～8中任一项的场效应晶体管，其中所述绝缘体层中的相对介电常数至少为0.2。

22.根据权利要求9的场效应晶体管，其中所述绝缘体层中的相对介电常数至少为0.2。

23.根据权利要求10的场效应晶体管，其中所述绝缘体层中的相对介电常数至少为0.2。

24.根据权利要求11的场效应晶体管，其中所述绝缘体层中的相对介电常数至少为0.2。

25.根据权利要求12的场效应晶体管，其中所述绝缘体层中的相对介电常数至少为0.2。

26.根据权利要求14的场效应晶体管，其中所述绝缘体层中的相对介电常数至少为0.2。

27.根据权利要求15的场效应晶体管，其中所述绝缘体层中的相对介电常数至少为0.2。