[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，依次包括：

第二电极、由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化物半导体层、 发光层、n型氮化物半导体层、第一电极。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，依次包括：

第二电极、支承衬底、由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化 物半导体层、发光层、n型氮化物半导体层、第一电极。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述透明导电层由导电性金属氧化物构成。

4.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述透明导电层由n型氮化物半导体构成。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

由电介体构成的所述反射层具有高折射率电介体构成的层与低折射率 电介体构成的层交互叠层而成的叠层结构。

6.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

由电介体构成的所述反射层对于所述发光层发出的发射光具有80～ 100％的反射率。

7.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

由所述p型氮化物半导体层、所述发光层及所述n型氮化物半导体层构 成的氮化物半导体层的表面当中，形成有由电介体构成的所述反射层的一侧 的表面是平坦的。

8.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

由所述p型氮化物半导体层、所速发光层及所述n型氮化物半导体层构 成的氮化物半导体层的表面当中，与形成有由电介体构成的所述反射层的一 侧相反的一侧的表面具有凹凸形状。

9.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述透明导电层在与厚度方向垂直的方向上的长度比所述p型氮化物半 导体层在与厚度方向垂直的方向上的长度短；

由电介体构成的所述反射层，与所述透明导电层的两侧面相接，并与所 述透明导电层的由电介体构成的所述反射层一侧的表面相接，并且，与所述 p型氮化物半导体层的所述透明导电层一侧的部分表面相接，该部分表面不 与所述透明导电层相接。

10.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

由电介体构成的所述反射层在所述透明导电层的正下方的区域中具有 在厚度方向上贯通的贯通口。

11.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述p型氮化物半导体层具有与所述透明导电层相接而形成的电流阻隔 区域。

12.如权利要求11所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

由电介体构成的所述反射层在所述透明导电层的正下方的区域中具有 在厚度方向上贯通的贯通口；

由电介体构成的所述反射层所具有的贯通口位于所述电流阻隔区域的 正下方。

13.如权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

在所述支承衬底与由电介体构成的所述反射层之间，具有含有共晶接合 金属的金属或含有此共晶接合金属的合金构成的单层或多层结构的共晶接 合层。

14.如权利要求13所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

在由电介体构成的所述反射层与所述共晶接合层之间，具有紧密接合 层。

15.如权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述支承衬底是由电镀金属或合金构成的衬底。

16.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

由电介体构成的所述反射层的厚度为0.2～5μm。