[发明专利]非易失性存储设备及其操作方法有效
申请号: | 200910165555.0 | 申请日: | 2009-07-30 |
公开(公告)号: | CN101783174A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 李珉圭 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨林森;康建峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 设备 及其 操作方法 | ||
1.一种非易失性存储设备,包括:
数据锁存部件,被配置为存储要编程到存储单元中的数据或者存储从存储单元中所读取的数据;和
页缓冲器,每一个均包括感测节点放电部件,所述感测节点放电部件被配置为,根据在所述数据锁存部件中所存储的数据并且响应于感测节点放电信号来有选择地使感测节点接地,使得只对其中存储要编程的数据的存储单元执行验证操作,而不对其余存储单元执行验证操作。
2.如权利要求1所述的非易失性存储设备,其中:
所述感测节点放电部件包括在所述感测节点和接地端之间串联的第一切换元件和第二切换元件,
响应于感测节点放电信号来导通所述第一切换元件,以及
根据在所述数据锁存部件中所存储的数据来导通所述第二切换元件。
3.如权利要求2所述的非易失性存储设备,其中:
所述第一切换元件包括具有向其输入感测节点放电信号的栅极的NMOS晶体管,以及
所述第二切换元件包括具有被连接到所述数据锁存部件的第一节点的栅极的NMOS晶体管。
4.如权利要求1所述的非易失性存储设备,其中所述感测节点放电部件被配置为当禁止编程的数据或编程完成数据被存储在所述数据锁存部件中并且施加感测节点放电信号时连接所述感测节点。
5.如权利要求2所述的非易失性存储设备,其中当禁止编程的数据或编程完成数据被存储在所述数据锁存部件中时,所述第二切换元件导通。
6.如权利要求1所述的非易失性存储设备,其中每个页缓冲器包括:
感测节点预充电部件,配置为向所述感测节点施加具有高电平的电源电压;
数据设置部件,配置为输入要被存储到所述数据锁存部件中的数据;
感测节点感测部件,配置为根据感测节点的电平向所述数据锁存部件 的特定节点施加地电压;
数据传送部件,配置为向所述感测节点施加在所述数据锁存部件中所存储的数据;和
验证信号输出部件,配置为根据在所述数据锁存部件中所存储的数据来通知是否已经完成验证。
7.一种非易失性存储设备,包括:
第一寄存器,配置为存储要编程到存储单元中的数据或者存储从存储单元中所读取的数据;和
页缓冲器,每一个均包括第一感测节点放电部件,第一感测节点放电部件被配置为,根据在所述第一寄存器中所存储的数据并且响应于第一感测节点放电信号来有选择地使感测节点接地,使得只对其中存储要编程的数据的存储单元执行验证操作,而不对其余存储单元执行验证操作。
8.如权利要求7所述的非易失性存储设备,其中:
所述第一感测节点放电部件包括在所述感测节点和接地端之间串联的第一切换元件和第二切换元件,
响应于所述第一感测节点放电信号来导通所述第一切换元件,以及
根据在所述第一寄存器中所存储的数据来导通所述第二切换元件。
9.如权利要求7所述的非易失性存储设备,其中所述页缓冲器进一步包括:
第二寄存器,配置为存储要编程到存储单元中的数据或者存储从存储单元中所读取的数据;和
第二感测节点放电部件,被配置为根据在所述第二寄存器中所存储的数据并且响应于第二感测节点放电信号来有选择地使感测节点接地,
其中所述第一寄存器和第二寄存器被并联到相同的感测节点。
10.如权利要求9所述的非易失性存储设备,其中:
所述第一感测节点放电部件包括在所述感测节点和接地端之间串联的第一切换元件和第二切换元件,
响应于所述第一感测节点放电信号来导通所述第一切换元件,以及
根据在所述第一寄存器中所存储的数据来导通所述第二切换元件。
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