[发明专利]电路板的电性连接结构及电路板装置

权利要求书

1.一种电路板的电性连接结构，在该电路板上设有多个电性接触垫，在该电性接触垫上设有该电性连接结构，通过该电性连接结构以电性连接至半导体元件，其特征在于，该电性连接结构包括：

多个金属缓冲层，对应设在各该电性接触垫上，且形成该金属缓冲层的材料为焊锡材料；以及

多个凸柱，对应设在各该金属缓冲层上，且该凸柱的熔点高于该金属缓冲层。

2.根据权利要求1所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，该半导体元件为半导体晶片或封装结构。

3.根据权利要求2所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，该半导体元件具有多个对应各该凸柱的电极垫，在该电极垫上形成有焊锡凸块。

4.根据权利要求1所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，形成该焊锡材料的材料为低熔点金属，该低熔点金属层的材料为锡(Sn)/银(Ag)/铜(Cu)、锡(Sn)/铜(Cu)、锡(Sn)/银(Ag)、锡(Sn)/锌(Zn)、或锡(Sn)/铟(In)。

5.根据权利要求1所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，形成该凸柱的材料为铝(Al)、铜(Cu)、或镍(Ni)。

6.根据权利要求1所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，还包括阻障层，该阻障层形成在该金属缓冲层与电性接触垫之间。

7.根据权利要求6所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，形成该阻障层的材料为镍(Ni)。

8.根据权利要求1或6所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，还包括焊锡材料，该焊锡材料形成在该凸柱上。

9.根据权利要求1或6所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，还包括表面处理层，该表面处理层形成在该凸柱的外露表面上。

10.根据权利要求9所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，形成该表面处理层的材料为电镀镍/金、化学镀镍/金、化镍浸金(ENIG)、化镍钯浸金(ENEPIG)、化学镀锡(Immersion Tin)或电镀锡。

11.根据权利要求1或6所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，还包括绝缘保护层，该绝缘保护层形成在该电路板上，并露出所述凸柱。

12.根据权利要求1或6所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，还包括绝缘保护层，该绝缘保护层形成在该电路板上及所述凸柱侧面，并露出所述凸柱的顶面。

13.根据权利要求12所述的电路板的电性连接结构，其特征在于，还包括焊接材料，该焊接材料形成在该凸柱的顶面。

14.一种电路板装置，其特征在于，包括：

电路板，在其至少一表面上设有多个电性接触垫；

多个金属缓冲层，对应设在各该电性接触垫上，且形成该金属缓冲层的材料为焊锡材料；

多个凸柱，对应设在各该金属缓冲层上，且该凸柱的熔点高于该金属缓冲层；以及

半导体元件，电性连接所述凸柱。

15.根据权利要求14所述的电路板装置，其特征在于，该半导体元件为半导体晶片或封装结构。

16.根据权利要求14所述的电路板装置，其特征在于，该半导体元件具有多个对应各该凸柱的电极垫，在该电极垫上形成有焊锡凸块。

17.根据权利要求14所述的电路板装置，其特征在于，形成该焊锡材料的材料为锡(Sn)/银(Ag)/铜(Cu)、锡(Sn)/铜(Cu)、锡(Sn)/银(Ag)、锡(Sn)/锌(Zn)、或锡(Sn)/铟(In)。

18.根据权利要求14所述的电路板装置，其特征在于，形成该凸柱的材料为铝(Al)、铜(Cu)、或镍(Ni)。

19.根据权利要求14所述的电路板装置，其特征在于，还包括阻障层，阻障层该形成在该金属缓冲层与电性接触垫之间。

20.根据权利要求19所述的电路板装置，其特征在于，形成该阻障层的材料为镍(Ni)。

21.根据权利要求14或19所述的电路板装置，其特征在于，还包括焊接材料，该焊接材料形成在该凸柱上。