[发明专利]电致发光装置有效
申请号: | 200910165716.6 | 申请日: | 2006-09-29 |
公开(公告)号: | CN101615630A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 堂本千秋 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
1.一种电致发光装置,其特征在于,
具有第一和第二光输出部,该第一和第二光输出部具有发光层和使该 发光层的光共振的共振器结构,
在将所述发光层所发出光的发光光谱的强度成为最大值的波长设为 发光峰值波长时,
所述第一光输出部及所述第二光输出部,在所述发光峰值波长中的视 觉灵敏度光谱曲线的斜率值均为正,
所述发光峰值波长中的所述视觉灵敏度光谱曲线的斜率值,在第二光 输出部中比在第一光输出部中大,
所述发光光谱的半值宽度在第二光输出部中设定得比在第一光输出 部中宽。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于,
关于所述第一和第二光输出部,将表示透射光谱最大值的共振峰值波 长设定为与所述发光峰值波长相等的值,所述透射光谱是在与所述发光层 的主面正交的方向上透过所述共振器结构的光的透射光谱。
3.根据权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于,
关于所述第一和第二光输出部,使所述发光峰值波长分别位于成为透 射光谱最大值的95%以上的波长范围内,所述透射光谱是在与所述发光层 的主面正交的方向上透过所述共振器结构的光的透射光谱。
4.根据权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于,
具有在所述发光峰值波长中的视觉灵敏度光谱曲线的斜率值为负的 第三光输出部,
所述发光光谱的所述半值宽度在第一光输出部中设定得比在第三光 输出部中宽。
5.根据权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于,
所述共振器结构包括形成于一对电极间的单层或多层,该一对电极设 置在所述发光层的厚度方向两侧。
6.根据权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于,
进一步具备:基板,搭载所述第一及第二光输出部;和密封膜,覆盖 住所述第一及第二光输出部并且让所述第一及第二光输出部发出的光透 过,
所述共振器结构包括密封膜。
7.根据权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于,
进一步具备:透明基板,搭载所述第一及第二光输出部并让所述第一 及第二光输出部发出的光透过,
所述共振器结构包括所述透明基板。
8.根据权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于,
所述共振器结构,包括所述第一及第二光输出部发出的光出射到外部 为止所通过的所有的层和部件,其中所述共振器结构包括电极、调整层、 密封膜、或玻璃基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910165716.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种GaN集成器件
- 下一篇:显示装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的