[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：

(A)提供一基板，具有阵列排列的多个像素区域；

(B)于该基板上形成一共享电极，环绕于各该像素区域的周围；

(C)于该共享电极上形成一储存电容电极；

(D)形成一第一保护层，覆盖该储存电容电极与该共享电极；

(E)于各该像素区域中形成一扫描线以及一栅极；

(F)形成一栅绝缘层，覆盖该扫描线及该栅极；

(G)于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一半导体层；

(H)于各该像素区域中形成一数据线、一源极与一漏极，而该源极与该漏极形成于该半导体层的两侧；

(I)于该基板上形成一第二保护层，覆盖该数据线、该源极与该漏极；

(J)于该漏极上方的该第二保护层中形成一接触窗开口，而曝露出该漏极；以及

(K)于各该像素区域中形成一像素电极，该像素电极是藉由该接触窗开口与该漏极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，步骤(B)～(D)是在步骤(I)之后进行，

于步骤(J)中，使该漏极上方的该第二保护层与该第一保护层中形成该接触窗开口，而曝露出该漏极。

3.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，形成该半导体层的方法包括：

于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一通道层；以及

于该通道层上形成一奥姆接触层。

4.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该储存电容电极往各该像素区域内延伸、且与该像素电极在各该像素区域的周围部分重迭。

5.一种像素结构，设置于一基板上，其特征在于，该基板具有阵列排列的多个像素区域，且该像素结构设置于各该像素区域中，该像素结构包括：

一共享电极，设置于该基板上方，环绕于各该像素区域的周围；

一储存电容电极，位于该共享电极上；

一第一保护层，覆盖该储存电容电极与该共享电极；

一扫描线及一栅极，设置于各该像素区域中；

一栅绝缘层，覆盖该扫描线与该栅极；

一半导体层，设置于该栅极上方的该栅绝缘层上；

一数据线、一源极及一漏极，设置于各该像素区域中，而该源极与该漏极设置于该半导体层的两侧；

一第二保护层，覆盖该数据线、该源极及该漏极，其中该漏极上方的该第二保护层中具有一接触窗开口；以及

一像素电极，设置于各该像素区域中，该像素电极是藉由该接触窗开口与该漏极电性连接。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该共享电极、该储存电容电极与该第一保护层依序设置于该第二保护层上，且使该漏极上方的该第二保护层与该第一保护层中形成该接触窗开口，而曝露出该漏极。

7.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该储存电容电极对应该扫描线而设置，且该储存电容电极、该第一保护层与该扫描线构成一第一储存电容。

8.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该储存电容电极对应该数据线而设置，且该储存电容电极、该第一保护层、该第二保护层与该数据线构成一第二储存电容。

9.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该储存电容电极往各该像素区域内延伸、且与该像素电极在各该像素区域的周围部分重迭。

10.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该储存电容电极的材料包括：铟锡氧化物或铟锌氧化物，该储存电容电极的厚度为