[发明专利]微机电的结构及制造方法

权利要求书

1.一种微机电的制造方法，其特征在于，该方法的步骤包含：

a.湿式蚀刻法移除一基板上的一微结构旁的一蚀刻道中多层金属层，其中该些金属层与氧化硅交互堆叠，且氧化硅两边具有一通道；

b.超音波震荡去除该蚀刻道中残留的氧化硅；

c.利用深反应离子蚀刻法蚀刻该基板；以及

d.对该基板进行背蚀刻，以形成一悬浮式微结构。

2.根据权利要求1所述的微机电的制造方法，其特征在于，在步骤b中使用一溶液进行超音波震荡，该溶液是水、丙酮或异丙醇。

3.一种微机电的制造方法，其特征在于，该方法的步骤包含：

a.湿式蚀刻法移除一基板上的一微结构旁的一蚀刻道中多层金属层，其中该些金属层与氧化硅交互堆叠，且氧化硅两旁具有一通道；

b.蚀刻去除该蚀刻道中残留的氧化硅；

c.利用深反应离子蚀刻法蚀刻该基板；以及

d.对该基板进行背蚀刻，以形成一悬浮式微结构。

4.一种微机电的制造方法，其特征在于，该方法的步骤包含：

a.形成一微结构与一蚀刻道于一基板上，其中该蚀刻道中包含多层金属层与多层氧化层交互堆叠，且该些氧化层两边具有一信道，而该微结构顶端与该蚀刻道顶端非同一平面；

b.湿式蚀刻法移除该蚀刻道中该些金属层；

c.去除该蚀刻道中残留的该些氧化层；

d.利用深反应离子蚀刻法蚀刻该基板；以及

e.对该基板进行背蚀刻，形成一悬浮式微结构。

5.根据权利要求4所述的微机电的制造方法，其特征在于，进行步骤c的方法是超音波震荡法或蚀刻法。

6.根据权利要求4所述的微机电的制造方法，其特征在于，进行步骤e前，还包含：

形成一覆盖层，于该基板上方，以保护微结构。

7.根据权利要求4所述的微机电的制造方法，其特征在于，进行步骤d前，还包含：

沉积一光阻层，于该基板下方，以定义背蚀刻区域。

8.一种微机电结构，其特征在于，为权利要求4所述的步骤a中所形成的结构，包含：

一基板；

一微结构，于该基板上，该微结构外围具有一氧化硅包覆，并于该氧化硅顶端具有一阻挡层；以及

一蚀刻道，于该微结构旁，该蚀刻道为多层金属层与多层氧化层交互堆叠，且该些氧化层两旁具有一信道，其中该微结构外围的该氧化硅顶端的该阻挡层，与该蚀刻道顶端的金属层非同一平面。

9.根据权利要求8所述的微机电结构，其特征在于，该信道为导孔或触孔。

10.根据权利要求8所述的微机电结构，其特征在于，该微结构为多层金属层间以多层导电层相连。