[发明专利]一种扩散铝的方法有效
| 申请号： | 200910166483.1 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101640172A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张明;蒋谊;彭文华;雷云;刘旭君 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 412001*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 方法 | ||
1.一种扩散铝的方法，其特征在于，包括：
清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；
为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多 片硅晶片和多片硅陪片；所述硅陪片贴合在硅晶片具有硼扩散层的表面；
将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二铝源 壶依次装入石英管；
用石英封头封住所述石英管的管口，对整个石英管执行闭管扩铝工艺。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述为每片硅晶片具有硼扩 散层的表面配置硅陪片具体为：为每片硅晶片配置一片硅陪片，且将所述硅 陪片贴合在硅晶片具有硼扩散层的表面。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述为每片硅晶片具有硼扩 散层的表面配置硅陪片具体为：在所述硅陪片的两侧各设置一片硅晶片，且 将硅晶片具有硼扩散层的表面贴合在硅陪片上。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第一铝源壶、多片硅 晶片和多片硅陪片、第二铝源壶依次装入石英管还包括：将第三铝源壶装入 所述石英管的中部。
5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述将第一铝源壶、 多片硅晶片和多片硅陪片、第二铝源壶依次装入石英管还包括：在相邻的铝 源壶和硅晶片之间放置硅陪片。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述相邻的铝源壶和硅晶片 之间放置的硅陪片为10片。
7.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述装入的铝源壶 的杂质床包括平行于源壶轴向且垂直于地面的挡板。
8.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述清洗的多片硅 陪片为N型衬底硅单晶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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