[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

一导电型半导体基板，其构成集电极区域；

逆导电型基极区域，其设于所述基板上；

一导电型发射极区域，其设于所述基极区域表面；

第一绝缘膜，其设于所述基极区域及所述发射极区域上；

第一基极电极，其与多个所述基极区域接触；

第一发射极电极，其与所述发射极区域接触；

第二绝缘膜，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上；

平板状的第二基极电极，其配置于所述第二绝缘膜上；以及

平板状的第二发射极电极，其配置于所述第二绝缘膜上且与所述第二 基极电极邻接，

所述第二发射极电极设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上 且与所述第一发射极电极接触，

所述第二基极电极具有比所述第二发射极电极小的面积，且设于所述 第一基极电极及所述第一发射极电极上并与所述第一基极电极接触，

所述第一发射极电极和所述第一基极电极均形成为长条状，所述第二 基极电极与全部的所述第一基极电极的端部接触，所述第二发射极电极与 全部的所述第一发射极电极接触。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基极电极 分别与配置于该第一基极电极的延伸方向的多个所述基极区域全部接触。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一发射 极电极与所述第一基极电极平行地配置。

4.如权利要3所述的半导体装置，其特征在于，所述第二基极电极的 面积为所述第二发射极电极的面积的三分之一以下。

5.如权利要4所述的半导体装置，其特征在于，所述第二基极电极和 所述第二发射极电极的分界部在与所述第一基极电极及所述第一发射极电 极的延伸方向垂直的方向上延伸。

6.如权利要5所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极区域设置 成格子状。

7.如权利要6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二基极电极包 括具有第一宽度的基极衬垫部和具有比该第一宽度窄的第二宽度的基极配 线部，所述第一宽度确保引线接合所需要的宽度，所述第二宽度确保由一 个所述基极区域和包围该基极区域的所述发射极区域构成的一个单元的宽 度。

8.如权利要7所述的半导体装置，其特征在于，所述第二发射极电极 包括：与所述基极衬垫部相对的发射极配线部；与所述基极配线部相对且 面积比所述发射极配线部的面积大的发射极衬垫部。

9.如权利要8所述的半导体装置，其特征在于，具有：

设于所述发射极衬垫部上的导电性粘合剂；和

利用该导电性粘合剂粘合于所述发射极衬垫部的大致中央的金属片。