[发明专利]多束激光二极管有效

专利信息
申请号: 200910166649.X 申请日: 2009-08-24
公开(公告)号: CN101656399A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 佐藤慎也 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01S5/32 分类号: H01S5/32;H01S5/028;H01S5/024;H01S5/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光二极管
【权利要求书】:

1.一种多束激光二极管,包括:

激光二极管元件,具有多个突出条;

接触电极,分别提供给该多个突出条;

多个焊盘电极,提供在该激光二极管元件的形成有该多个突出条的面上 并避开该多个突出条;

配线电极,将该接触电极连接到该多个焊盘电极的一个或多个;

第一绝缘膜,在该接触电极上;以及

导热层,由提供在该第一绝缘膜上的金属构成。

2.根据权利要求1所述的多束激光二极管,其中该第一绝缘膜由选自 由AlN、SiC、金刚石、BN、SiO2和SiN组成的组中的一种或者多种构成。

3.根据权利要求2所述的多束激光二极管,其中该接触电极相对于该 突出条具有对称的宽度。

4.根据权利要求3所述的多束激光二极管,其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极,并且该 其它的接触电极通过第二绝缘膜与该配线电极绝缘。

5.根据权利要求4所述的多束激光二极管,其中该第二绝缘膜由选自 由AlN、SiC、金刚石、BN、SiO2和SiN组成的组中的一种或者多种构成。

6.根据权利要求3所述的多束激光二极管,其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极,并且该 配线电极形成在该激光二极管元件中的高电阻区域中,该高电阻区域是提供 有离子注入和去除p侧接触层中的一者或两者的区域。

7.根据权利要求3所述的多束激光二极管,包括:

支撑;以及

焊料层,在该支撑与该焊盘电极之间以及该支撑与该导热层之间。

8.根据权利要求2所述的多束激光二极管,包括:

支撑;以及

焊料层,在该支撑与该焊盘电极之间以及该支撑与该导热层之间。

9.根据权利要求1所述的多束激光二极管,其中该接触电极相对于该 突出条具有对称的宽度。

10.根据权利要求9所述的多束激光二极管,其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极,所述其 它的接触电极通过第二绝缘膜与该配线电极绝缘。

11.根据权利要求10所述的多束激光二极管,其中该第二绝缘膜由选 自由AlN、SiC、金刚石、BN、SiO2和SiN组成的组中的一种或者多种构成。

12.根据权利要求9所述的多束激光二极管,其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极,并且该 配线电极形成在该激光二极管元件中的高电阻区域中,该高电阻区域是提供 有离子注入和去除p侧接触层中的一者或二者的区域。

13.根据权利要求9所述的多束激光二极管,包括:

支撑;以及

焊料层,在该支撑与该焊盘电极之间以及该支撑与该导热层之间。

14.根据权利要求1所述的多束激光二极管,包括:

支撑;以及

焊料层,在该支撑与该焊盘电极之间以及该支撑与该导热层之间。

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