[发明专利]多束激光二极管有效
申请号: | 200910166649.X | 申请日: | 2009-08-24 |
公开(公告)号: | CN101656399A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 佐藤慎也 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01S5/32 | 分类号: | H01S5/32;H01S5/028;H01S5/024;H01S5/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 激光二极管 | ||
1.一种多束激光二极管,包括:
激光二极管元件,具有多个突出条;
接触电极,分别提供给该多个突出条;
多个焊盘电极,提供在该激光二极管元件的形成有该多个突出条的面上 并避开该多个突出条;
配线电极,将该接触电极连接到该多个焊盘电极的一个或多个;
第一绝缘膜,在该接触电极上;以及
导热层,由提供在该第一绝缘膜上的金属构成。
2.根据权利要求1所述的多束激光二极管,其中该第一绝缘膜由选自 由AlN、SiC、金刚石、BN、SiO2和SiN组成的组中的一种或者多种构成。
3.根据权利要求2所述的多束激光二极管,其中该接触电极相对于该 突出条具有对称的宽度。
4.根据权利要求3所述的多束激光二极管,其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极,并且该 其它的接触电极通过第二绝缘膜与该配线电极绝缘。
5.根据权利要求4所述的多束激光二极管,其中该第二绝缘膜由选自 由AlN、SiC、金刚石、BN、SiO2和SiN组成的组中的一种或者多种构成。
6.根据权利要求3所述的多束激光二极管,其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极,并且该 配线电极形成在该激光二极管元件中的高电阻区域中,该高电阻区域是提供 有离子注入和去除p侧接触层中的一者或两者的区域。
7.根据权利要求3所述的多束激光二极管,包括:
支撑;以及
焊料层,在该支撑与该焊盘电极之间以及该支撑与该导热层之间。
8.根据权利要求2所述的多束激光二极管,包括:
支撑;以及
焊料层,在该支撑与该焊盘电极之间以及该支撑与该导热层之间。
9.根据权利要求1所述的多束激光二极管,其中该接触电极相对于该 突出条具有对称的宽度。
10.根据权利要求9所述的多束激光二极管,其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极,所述其 它的接触电极通过第二绝缘膜与该配线电极绝缘。
11.根据权利要求10所述的多束激光二极管,其中该第二绝缘膜由选 自由AlN、SiC、金刚石、BN、SiO2和SiN组成的组中的一种或者多种构成。
12.根据权利要求9所述的多束激光二极管,其中该配线电极将该接触 电极连接到该多个焊盘电极的一个或者多个而跳过其它的接触电极,并且该 配线电极形成在该激光二极管元件中的高电阻区域中,该高电阻区域是提供 有离子注入和去除p侧接触层中的一者或二者的区域。
13.根据权利要求9所述的多束激光二极管,包括:
支撑;以及
焊料层,在该支撑与该焊盘电极之间以及该支撑与该导热层之间。
14.根据权利要求1所述的多束激光二极管,包括:
支撑;以及
焊料层,在该支撑与该焊盘电极之间以及该支撑与该导热层之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910166649.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。