[发明专利]晶片划片期间抑制腐蚀和去除表面污染物的方法和其采用的组合物

权利要求书

1.用于晶片划片的溶液，能有效抑制污染残渣在暴露的金属化区域的粘附 和暴露金属化区域的腐蚀，包括：

具有2-6个碳原子的至少一种二羧酸和/或其盐；

至少一种羟基羧酸和/或其盐或含氨基的酸；

仲烷基磺酸型表面活性剂，其结构式为：

其中10＜m+n＜14；

和

去离子水；

其中溶液不含氟，pH为1-4，其中：

至少一种二羧酸、其盐为0.005-16wt％；

至少一种羟基羧酸、其盐为0.003-4wt％；

表面活性剂为0.0001-0.5wt％；和

其余的为去离子水，

其中二羧酸选自草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、马来酸和富马 酸。

2.如权利要求1所述的溶液，其中二羧酸包括丙二酸和草酸的混合物。

3.如权利要求1所述的溶液，包括柠檬酸、丙二酸、草酸和去离子水。

4.如权利要求1所述的溶液，包括4.0％的柠檬酸、2.0％丙二酸、4.0％草 酸、0.4％表面活性剂和余下的为去离子水。

5.用于晶片划片的溶液，能有效抑制污染残渣在暴露的金属化区域的粘附 和暴露金属化区域的腐蚀，包括：

4.0％柠檬酸；

2.0％丙二酸；

4.0％草酸；

0.4％仲烷基磺酸型表面活性剂，其结构式为：

其中10＜m+n＜14；

和

余下的为去离子水；

其中溶液的pH为1-4。

6.一种晶片划片的方法，用具有焊盘的锯划片晶片，通过锯切晶片产生污 染残渣，腐蚀会潜在地形成在所有暴露的金属化区域；该方法包括以下步骤：

使晶片连续地接触去离子水；和

使晶片连续地接触用于晶片划片的溶液，该溶液包括

具有2-6个碳原子的至少一种二羧酸和/或其盐；

至少一种羟基羧酸和/或其盐或含氨基的酸；

仲烷基磺酸型表面活性剂，其结构式为：

其中10＜m+n＜14；

和

去离子水；

其中溶液不含氟，pH为1到4，其中

所述至少一种二羧酸、其盐为0.005-16wt％；

所述至少一种羟基羧酸、其盐为0.003-4wt％；

所述表面活性剂为0.0001-0.5wt％；和

其余的为去离子水，

其中二羧酸选自草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、马来酸和富马 酸构成的组。

7.如权利要求6所述的方法，其中二羧酸包括丙二酸和草酸的混合物。

8.如权利要求6所述的方法，其中溶液包括柠檬酸、丙二酸、草酸和去离 子水。

9.如权利要求6所述的方法，其中溶液包括4.0％的柠檬酸、2.0％丙二酸、 4.0％草酸、0.4％表面活性剂及其组合，和余下的为去离子水。