[发明专利]触控感测元件的压力侦测方法以及使用该方法的电子装置有效

专利信息
申请号: 200910167219.X 申请日: 2009-08-21
公开(公告)号: CN101996014A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 房国斌;曾恕宏 申请(专利权)人: 宏达国际电子股份有限公司
主分类号: G06F3/045 分类号: G06F3/045
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 陈小莲;王凤桐
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 触控感测 元件 压力 侦测 方法 以及 使用 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种触控感测元件的压力侦测方法,所述触控感测元件包括第一薄膜和第二薄膜,每个薄膜包括两电极,所述侦测方法包括下列步骤:

提供第一电位差至所述第一薄膜的两电极;

利用所述第一电位差的分压,对电容进行充电;

取样所述电容的充电电压,以取得多个第一电压值,并根据该多个第一电压值求得第一电压值的变化;

将所述第一电压值的变化与门槛值相比较;以及

当所述第一电压值的变化小于所述门槛值时,对所述多个第一电压值中的至少一者进行后处理。

2.根据权利要求1所述的侦测方法,其中,当所述第一电压值的变化大于所述门槛值时,忽略所述多个第一电压值。

3.根据权利要求1所述的侦测方法,其中,所述第一电压值的变化指两相邻第一电压值之差、两第一电压值之差、多个两相邻第一电压值之差的平均以及多个两相邻第一电压值之差的变化率中的一者。

4.根据权利要求3所述的侦测方法,该方法还包括:

提供第二电位差至所述第二薄膜的两电极;

利用所述第二电位差的分压,对所述电容进行充电;

取样所述电容的充电电压,以取得多个第二电压值,并根据该多个第二电压值求得第二电压值的变化;

将所述第二电压值的变化与所述门槛值相比较;

当所述第一电压值的变化和第二电压值的变化中的一者大于所述门槛值时,忽略所述多个第一电压值和第二电压值;以及

当所述第一电压值的变化和第二电压值的变化均小于所述门槛值时,对所述多个第一电压值中的至少一者和所述多个第二电压值中的至少一者进行后处理。

5.根据权利要求4所述的侦测方法,其中,提供所述第一电位差至所述第一薄膜的两电极并经过第一预设时间后,开始取样所述电容的充电电压,以取得所述多个第一电压值;以及提供所述第二电位差至所述第二薄膜的两电极并经过第二预设时间后,开始取样所述电容的充电电压,以取得所述多个第二电压值。

6.根据权利要求1所述的侦测方法,其中,所述后处理步骤还包括:

根据所述至少一个第一电压值计算位置坐标;以及

执行对应于所述位置坐标的功能。

7.一种电子装置,该电子装置包括:

第一薄膜,该第一薄膜具有两电极;

第二薄膜,该第二薄膜具有两电极;

电源,该电源用于提供电位差至所述第一薄膜的两电极或所述第二薄膜的两电极;

电容,该电容用于选择性耦接于所述第一薄膜的两电极中的一者或所述第二薄膜的两电极中的一者,并通过该耦接的电极接收所述电位差的分压,以进行充电;以及

处理单元,该处理单元用于取样所述电容的充电电压,以取得多个电压值,并根据该多个电压值来求得电压值的变化,并用于将该电压值的变化与门槛值相比较;

其中,当所述电压值的变化小于所述门槛值时,所述处理单元对所述多个电压值的至少一者进行后处理。

8.根据权利要求7所述的电子装置,其中,当所述电压值的变化大于所述门槛值时,所述处理单元忽略所述多个电压值。

9.根据权利要求7所述的电子装置,其中,所述第一薄膜的两电极分别形成于所述第一薄膜上沿第一方向的两相对侧;以及所述第二薄膜的两电极分别形成于所述第二薄膜上沿第二方向的两相对侧,所述第二方向与所述第一方向相互垂直。

10.根据权利要求7所述的电子装置,其中,所述电源通过开关元件选择性地耦接于所述第一薄膜的两电极或所述第二薄膜的两电极,且所述电容通过开关元件选择性地耦接于所述第一薄膜的两电极中的一者或所述第二薄膜的两电极中的一者。

11.根据权利要求10所述的电子装置,其中,当所述电源被耦接于所述第一薄膜的两电极时,所述电容被耦接于所述第二薄膜的两电极中的一者;当所述电源被耦接于所述第二薄膜的两电极时,所述电容被耦接于所述第一薄膜的两电极中的一者。

12.根据权利要求7所述的电子装置,该装置还包括:

模拟数字转换单元,该模拟数字转换单元耦接于所述电容,将该电容的充电电压转换为所述多个电压值。

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