[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中具备：

第一逻辑电路区域，该第一逻辑电路区域形成在第一导电型的半 导体衬底的主表面上，并包含以第一驱动电压来驱动并控制规定开关 元件的动作的第一逻辑电路和第一电阻，被施加第一电压作为偏压；

环形区域，该环形区域在所述半导体衬底的主表面形成为环形， 以从周向包围所述第一逻辑电路区域，并包含分别与所述第一电阻电 连接的场效应晶体管和第二电阻；

分离区域，该分离区域形成在所述第一逻辑电路区域与所述环形 区域之间，对所述第一逻辑电路区域与所述环形区域进行电气分离； 以及

第二逻辑电路区域，该第二逻辑电路区域形成在位于所述环形区 域外侧的所述半导体衬底的主表面上，并包含分别与所述场效应晶体 管和所述第二电阻电连接且以第二驱动电压来驱动的第二逻辑电路， 被施加比所述第一电压低的第二电压作为偏压，

基于所述场效应晶体管导通而漏极电流流过所述第一电阻时产 生的规定电位差，所述第一逻辑电路控制所述开关元件的动作，

通过探测流过所述第二电阻的电流，所述第二逻辑电路求出为使 一定的电流流过而必须对所述场效应晶体管的栅极施加的栅极电压， 该一定的电流为所述漏极电流，将所述栅极电压施加在所述栅极上，

所述环形区域将被施加所述第一电压的所述场效应晶体管的漏 极相对于所述第二逻辑电路区域电气分离，

所述分离区域使所述第一逻辑电路区域至少在所述第一驱动电 压分量上与被施加所述第一电压的所述场效应晶体管的漏极电气分 离。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一逻辑电路区域包含从所述半导体衬底的主表面到规定 深度形成的第二导电型的第一杂质区域，

所述环形区域包含从所述半导体衬底的主表面到规定深度形成 的第二导电型的第二杂质区域，

所述分离区域由被所述第一杂质区域与所述第二杂质区域所夹 持的所述半导体衬底的第一导电型区域的一部分来形成。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第一逻辑电路区域包含：

从所述第一杂质区域的表面到规定深度形成的、作为所述第一电 阻的第一导电型的第三杂质区域，和

在所述第三杂质区域的正下方隔着间隔而形成的、具有比所述第 一杂质区域的杂质浓度高的杂质浓度第二导电型的第四杂质区域。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述分离区域包含：

第一沟槽分离部，以使被所述第一杂质区域和所述第二杂质区域 所夹持的所述半导体衬底的第一导电型的区域的一部分与所述第一 杂质区域相隔的方式形成，以及

第二沟槽分离部，以使所述第一导电型的区域的一部分与所述第 二杂质区域相隔的方式形成。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

包含形成在所述半导体衬底主表面上的、规定厚度的第二导电型 的第一半导体层，

所述第一逻辑电路区域和所述环形区域形成在所述第一半导体 层上，

所述分离区域包含从所述第一半导体层的一部分的表面到规定 深度形成的第一导电型的第一杂质区域，该第一半导体层的一部分在 位于所述第一逻辑电路区域的所述第一半导体层的一部分与位于所 述环形区域的所述第一半导体层的一部分之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

包含形成在所述半导体衬底主表面上的、规定厚度的第二导电型 的第一半导体层，

所述第一逻辑电路区域和所述环形区域形成在所述第一半导体 层上，

所述分离区域包含从所述第一半导体层的一部分的表面形成至 所述半导体衬底的所述第一导电型的区域的沟槽分离部，该第一半导 体层的一部分在位于所述第一逻辑电路区域的所述第一半导体层的 一部分与位于所述环形区域的所述第一半导体层的一部分之间。