[发明专利]含石墨的组合物,用于锂二次电池的负极,以及锂二次电池无效

专利信息
申请号: 200910167459.X 申请日: 2002-12-21
公开(公告)号: CN101662014A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 松原惠子;津野利章;高椋辉;沈揆允 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/38;H01M4/04;H01M10/36;H01M10/40;H01M10/38
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 石墨 组合 用于 二次 电池 负极 以及
【说明书】:

本申请是中国发明申请(发明名称:含石墨的组合物,用于锂二次电池的负极,以及锂二次电池,申请日:2002年12月21日;申请号:02151840.8)的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2001年12月21日提交日本专利局、且申请号为JP 2001-388815和JP 2001-388816的日本专利申请的优先权,在此将它们所公开的全部内容引作参考。

技术领域

本发明涉及含石墨的组合物,包括该组合物的锂二次电池负极,以及含有该负极的锂二次电池。

背景技术

碳基材料用作负极活性材料,特别是,通常采用具有高结晶度的晶体石墨。这种石墨具有层状结构,在二次电池的充电过程中,锂离子从层状石墨的边缘插入到石墨层的间隙,由此得到了Li-石墨夹杂化合物。

当石墨用作制备负极的负极活性材料时,由于绝大部分石墨是薄片状的,因此石墨层的平面平行于集电体的平面。因此,石墨层的边缘以垂直于正极的方向排列,这样在充电过程中从正极脱出的锂离子不能轻易地插入到石墨层中。

尤其是,当电池以高速率充电时,锂离子不充分地插入到石墨层,因而破坏了放电性能。

另外,由于锂二次电池通常在恒流和恒压(CC-CV)下进行充电、在恒流下进行放电,因此当电池以高速率放电时,深深插入到晶体石墨层中的锂离子不能完全脱出,因而破环了循环寿命性能。

因为脱出的锂离子不足以插入到石墨层,并且太多的锂离子保留在石墨中,所以进一步破坏了常规锂二次电池的循环寿命特性。

在石墨层内平面方向上((ab)平面或(002)平面)含石墨组合物的电阻率是在石墨层平面方向上的电阻率的约1000倍。因此,如果能够控制石墨的排列,那么就可以降低甚至消除石墨的各向异性,并且此石墨可以用在电子设备以及电池中。

发明内容

在一个实施例中,本发明涉及一种包括含石墨组合物的锂二次电池用负极,所述含石墨组合物由下述步骤制备:混合石墨粉和粘合剂,将混合物固化并成形为具有1.5至2.0g/cm3的密度的薄片,其中当由X-射线衍射测量薄片平面时,石墨具有0.5或更高的强度比I(110)/I(002),其中I(002)是在(002)平面的X-射线衍射峰强度I(002),I(110)是在(110)平面的X-射线衍射峰强度I(110)。

本发明的锂二次电池用负极增加了在高速率充/放电时的放电容量和锂二次电池的循环寿命特性。

本发明的目的通过以下实现:

1.一种用于锂二次电池的含石墨组合物,该组合物包含强度比I(110)/I(002)为0.5或更高的石墨,其中I(002)是在(002)平面的X-射线衍射峰强度I(002),I(110)是在(110)平面的X-射线衍射峰强度I(110)。

2.一种含石墨组合物,该组合物通过下述方法制备:将石墨粉和粘合剂混合,并将混合物固化并成形为密度为1.5至2.0g/cm3薄片,

其中,当通过X-射线衍射测量薄片平面时,石墨具有0.5或更高的强度比I(110)/I(002),I(002)是在(002)平面的X-射线衍射峰强度I(002),I(110)是在(110)平面的X-射线衍射峰强度I(110)。

3.根据条目2的含石墨组合物,其中该组合物由下述方法制备:将石墨粉和粘合剂分散在溶剂中制成膏状物,将此膏状物涂布在基材上,将磁场施加到膏状物上以排列石墨颗粒,从膏状物中除去溶剂,用粘合剂固定石墨颗粒。

4.根据条目3的含石墨组合物,其中所施加的磁场的磁场强度是0.5T或更高。

5.一种制备含石墨组合物的方法,包括:将石墨粉和粘合剂分散在溶剂中以制成膏状物,将膏状物涂布在基材上,用磁场按相同方向排列石墨颗粒的(002)平面,从组合物中除去溶剂,利用粘合剂对石墨粉进行固化和成形。

6.根据条目5所述的制备含石墨组合物的方法,其中将涂有膏状物的基材放置在一对用于产生磁场的装置之间,从而施加磁场。

7.根据条目5所述的制备含石墨组合物的方法,其中将石墨粉用粘合剂粘结,将所得材料固化并成形为薄片状,与此同时,石墨颗粒的(002)平面在垂直于薄片平面的方向上排列。

8.根据条目5所述的制备含石墨组合物的方法,其中所施加磁场的磁场强度是0.5T或更高。

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