[发明专利]对硅太阳能衬底进行切片的轨道配置和方法无效
申请号: | 200910167477.8 | 申请日: | 2009-08-25 |
公开(公告)号: | CN101661973A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | F·J·亨利;A·布雷洛夫 | 申请(专利权)人: | 硅源公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 衬底 进行 切片 轨道 配置 方法 | ||
1.一种用于由体工件制造独立式膜的系统,所述系统包括:
轨道结构,所述轨道结构被配置为传送至少一个工件;
经由终端站耦接至所述轨道结构的一个或更多基于加速器的离子注入器,每个基于加速器的离子注入器被配置为将粒子引入以注入到载入终端站的工件的表面中,从而在工件中形成解理区;以及
耦接到所述轨道结构的一个或更多解理模块,每个解理模块被配置为进行解理工艺以沿解理区从工件释放独立式膜,由此从工件释放独立式膜之后,将工件返回至终端站以引入更多粒子。
2.如权利要求1的系统,还包括:耦接至所述解理模块的输出端口,用于输出从工件分离的独立式膜。
3.如权利要求1的系统,还包括:一个或更多服务模块,每个服务模块连接至所述轨道结构。
4.如权利要求3的系统,其中所述一个或更多服务模块包括托盘服务模块,用于将一个或更多工件装载到支撑托盘,并进行对所述托盘的维护。
5.如权利要求3的系统,其中所述一个或更多服务模块包括退火站,用于在所述一个或更多解理模块中的解理工艺之前或之后进行热处理。
6.如权利要求3的系统,其中所述一个或更多服务模块包括质量控制站,用于检验和制备用于重复注入和解理工艺的工件。
7.如权利要求1的系统,其中所述至少一个基于加速器的离子注入器被配置为引入具有大于1MeV的能量的粒子。
8.如权利要求1的系统,其中所述轨道结构可以被配置为闭环架构或单跑道架构。
9.如权利要求1的系统,其中所述轨道结构包括第一传送装置,用于将托盘中的至少一个工件从一个位置传送至另一位置,所述另一位置包括终端站、所述一个或更多解理模块之一、或所述一个或更多服务模块之一。
10.如权利要求9的系统,其中所述轨道结构是可扩展的以延伸所述第一传送装置和添加与其耦接的附加工艺模块。
11.如权利要求1的系统,其中采用轨道机器人、机械手、自动导向车辆或转动平台。
12.如权利要求1的系统,还包括用于所述轨道结构的生产线平衡装置,其中所述一个或更多基于加速器的离子注入器的数目与所述一个或更多解理模块的数目的比率可调整。
13.如权利要求1的系统,其中所述一个或更多基于加速器的离子注入器包括用于产生具有达到约5MeV的能量的粒子的基于RFQ的线性加速器、基于QFI的线性加速器、回旋加速器或静电加速器。
14.如权利要求1的系统,其中所述粒子包括具有正电荷或负电荷的氢离子或其它轻离子。
15.如权利要求1的系统,其中所述工件可以是晶体硅的锭,并且所述表面可以被选择为沿(111)或(110)晶面,具有若干度的小误切角和方形或伪方形的截面形状。
16.如权利要求1的系统,其中所述一个或更多解理模块还包括用于对所述工件使用电子-磁工艺照射和扫描并进行解理工艺的工具。
17.一种用于从体工件量产厚度独立的材料的方法,所述方法包括以下步骤:
提供包括第一传送装置的轨道结构;
在所述传送装置中装载至少一个工件,所述工件具有基本上位于预定晶面的表面;
经由第一传送装置将工件传送到耦接至轨道结构的终端站;
通过耦接至轨道结构的注入子系统产生离子粒子束,所述离子粒子束被引入终端站中的工件的表面,并被注入到限定解理区的深度;
经由第一传送装置将工件传送到耦接至轨道结构的解理模块,通过一个或更多工艺对工件进行处理以沿解理区解理厚度独立的材料;
释放厚度基本等于所述深度的厚度独立的材料;
将工件返回至终端站;以及
经由第二传送装置将所述厚度独立的材料传送出解理模块。
18.如权利要求17的方法,其中将所述工件装载在支撑在托盘上的传送装置中。
19.如权利要求18的方法,其中将至少一个工件装载在托盘中的步骤在耦接至所述轨道结构的托盘服务模块中进行。
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