[发明专利]具高d33无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法无效
申请号: | 200910167647.2 | 申请日: | 2009-09-16 |
公开(公告)号: | CN101661990A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 朱基亮;王明松;李绪海;朱建国;肖定全 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H01L41/22 | 分类号: | H01L41/22;C04B26/08;C08L27/16;C08K3/24 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人: | 刘双兰 |
地址: | 610207四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sub 33 压电 陶瓷 聚合物 复合材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法,特别涉及一种具有高d33的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷与聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)压电复合陶瓷材料的制备方法,属于压电复合材料技术领域。
背景技术
压电陶瓷由于其优良的压电性能,且能够用传统的烧结方式获得,因此成为了现在应用最为广泛的一种压电材料。但是,压电陶瓷虽然拥有良好的压电性能,却有较大的脆性,因而限制了其应用。而压电材料的发展方向是即具有高的压电性能且拥有一定的韧性,因此早在1972年日本的北山中村制备了BT-PVDF复合材料,开创了这类材料的先河。接着,1978年美国宾州州立大学的R.E.Newnham等人结合前人的研究开创性地提出了压电和热释电复合材料的概念,从此压电复合材料成为压电材料的一个研究的重点。但是在过去的三十年里具有较好综合性能的且制备简单的0-3型压电复合材料的d33难以得到有效的提高,即使使用了拥有高达600pC/N的d33的PZT压电陶瓷与PVDF的复合材料,有文献报道其d33最高值也在65pC/N左右。
此外,国内外现在通常采用含铅的压电陶瓷与PVDF、P(VDF/TrFE)以及环氧树脂等聚合物制成压电复合材料,但是含铅的压电陶瓷在生产、使用及废弃后处理过程中会对环境造成巨大的危害。因此,2003年欧盟通过了《关于禁止在电器和电子设备中使用某些有害物质》的RoHS指令,随后相似的法令在世界各地相继出现,我国也于2006年2月由信息产业部颁布了《电子信息产品污染防治管理办法》,压电陶瓷由此向无铅化发展。在2004年,日本科学家Yasuyoshi Saito等人使用反应模版的方法制得了压电性能可以与含铅压电陶瓷媲美的无铅压电陶瓷,而压电复合材料概念的提出者之一Eric Cross在同一期Nature上发表了《lead free at last》的文章。于是,近几年来掀起了无铅压电陶瓷与压电聚合物的压电复合材料研究的热潮,因此,采用无铅压电陶瓷与压电聚合物制成压电复合材料是大势所趋。
所以,本发明则是一种工艺简单且能够极大提高压电复合材料d33的无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备技术被开发出来。
发明内容
本发明的目的就是要提供一种工艺简单且能够极大提高压电复合材料的d33的无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法,该方法是将用传统制备方法制备的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉末与聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)按设计比例混合成复合材料粉末再制备成压电复合材料,该压电复合材料经浸泡处理后其d33可由原来的9~30pC/N提高到25~103pC/N,提高比例甚至可达300%,且该方法简单易行。
为实现本发明的目的,本发明是采用以下措施构成的技术方案来实现的:
本发明具有高d33的无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法,包括以下工艺步骤:
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