[发明专利]一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法

权利要求书

1、一种有机电致发光器件的封装结构，包括基板(1)和盖板(2)，基板(1)上设置有发光功能层，其结构为多层薄膜，ITO薄膜电极层(3)设置在基板内表面，兼作发光功能层的阳极层，由阳极层依次往上设置的各层薄膜是空穴传输层(4)、发光层(5)、电子传输层(6)和阴极层(7)，基板和盖板的边框部分之间设置有封接层，其特征在于，所述封接层为铟合金封接层(13)，铟合金封接层(13)的下表面通过基板过渡层(11)或者由基板过渡层(11)和基板附着层(9)组成的结合层连接基板(1)，铟合金封接层(13)的上表面通过盖板过渡层(12)或者由盖板过渡层(12)和盖板附着层(10)组成的结合层连接盖板，铟合金封接层(13)在与盖板(1)上设置有ITO薄膜电极层(3)的封接处设置绝缘层(8)，绝缘层(8)设置在ITO薄膜电极层(3)与基板附着层(9)之间。

2、根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述铟合金封接层(13)的厚度为0.05-0.5mm，包括铟锡合金和铟铋合金，所述铟锡合金的组分为：铟锡合金的组分是：铟为50.9％，锡为49.1％，铟铋合金的成分为：铟66％，铋34％。

3、根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，绝缘层(8)的材料为Al₂O₃、Si_XN_Y、SiO_m三种材料中的一种，其中X值为1、2、3或1、2、3均有，Y值为1、2、3、4或1、2、3、4均有，m值为1、2或者1、2均有。

4、根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，盖板附着层(10)与基板附着层(9)的材料都为NiCr、Cr、Ti之一种，厚度为50～100nm；盖板过渡层(12)和基板过渡层(11)的材料都为Au、Ag、Cu和Pt之一种，厚度为50～100nm。

5、根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，盖板(2)的下表面设有消气剂层(14)。

6、一种有机电致发光器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，盖板(2)边框处的附着层和过渡层制作完成后，用真空蒸发法或电子束蒸发法在盖板内表面的中心及其周围的适当部位制作消气剂层(14)；

步骤2，基板(1)上的各功能层，包括ITO薄膜电极层(3)，绝缘层(8)，基板附着层(9)，基板过渡层(11)，空穴传输层(4)，发光层(5)，电子传输层(6)，阴极层(7)，在高真空环境下制作完成后，通过高真空通道移送至压强为10^-4-10^-6Pa的高真空封接室中；

步骤3，盖板(2)上的各功能层，包括盖板过渡层(12)，盖板附着层(10)，第三附着层(12)，消气剂层(14)，在高真空环境下制作完成后，通过高真空通道移送至压强为10^-4-10^-6Pa的高真空封接室中；

步骤4，移送到高真空封接室中的基板组件和盖板组件放置在封接室中的2个平台上，基板(1)和盖板(2)的内表面的法线垂直向上；

步骤5，在基板(1)和盖板(2)的各过渡层表面上，连续无间隙均匀地放置铟锡或铟铋材料的合金丝或合金箔片；

步骤6，用热子或红外辐射加热的方法，对基板和盖板组件加热，使其温度增加到所使用铟合金的熔点温度以上，并且不超过基板上的有机发光功能层材料的承受温度，并保温，使基板过渡层和盖板过渡层上放置的铟合金充分熔化并与各过渡层表面浸润；

步骤7，把基板和面板组件的温度降至所用铟合金的熔点以下；

步骤8，将基板组件或盖板组件之一翻面，即使其内表面法线垂直向下，使基板和盖板边框处的铟合金层对位并贴合；

步骤9，加热贴合后的基板和盖板组件，加热温度高于所用铟合金的熔点温度，且低于基板上的有机发光功能层材料的承受温度，保温后降温至室温；

步骤10，从封接室中取出封接完成的有机发光面板组件。