[发明专利]一种具有P型浮空层的槽栅IGBT无效
| 申请号： | 200910167912.7 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101694851A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;钱梦亮;王蓉;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L27/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 型浮空层 igbt | ||
【权利要求书】：
1.一种具有P型浮空层的槽栅IGBT，每个元胞包括集电极(1)、P+集电区(2)、N-基区(4)、栅氧化层(5)、多晶硅栅(6)、发射极(7)、N+源区(9)、P+体区(10)和P型浮空层(11)；
奇特征在于：
所述栅氧化层(5)和多晶硅栅(6)构成沟槽删结构，所述沟槽删结构位于元胞中N-基区(4)的中上方，且沟槽删结构上端面的删氧化层与发射极(7)相连；所述P+体区(10)位于元胞中N-基区(4)的两侧的上方，并分别与发射极(7)和N-基区(4)相连；所述N+源区(9)位于发射极(7)下方，并分别与P+体区(10)、N-基区(4)、发射极(7)和沟槽删结构侧面的删氧化层相连；所述P型浮空层(11)位于沟槽删结构和N-基区(4)之间，并分别于沟槽删结构下端面的删氧化层和N-基区(4)相连。
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