[发明专利]一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：采用分析纯级氢氧化钠和去离子水配制浓度为0.1M-2.0M的氢氧化钠溶液，记 为溶液A；

步骤2：采用分析纯级硝酸铅和去离子水配制浓度为0.05M-0.5M的硝酸铅溶液，记为溶 液B；

步骤3：采用分析纯级硫脲和去离子水配制浓度为0.01M-0.5M的硫脲溶液，记为溶液C；

步骤4：将溶液A、溶液B和溶液C分别置于30℃的恒温条件下保存待用；

步骤5：取一定量的溶液A缓慢加入一定量的溶液B中，其中氢氧化钠和硝酸铅的摩尔 比为3∶1-6∶1之间，搅拌均匀后静置10至20分钟；

步骤6：将经清洗并干燥处理后的基片固定在沉淀用样品支架上，并竖直浸没于溶液C 中，其中溶液℃的温度控制在30℃；

步骤7：取步骤5所得溶液A和溶液B混合后的上层清液，缓慢加入到溶液C中，其中 硝酸铅和硫脲的摩尔比为2∶1-1∶1之间；在此过程中，采用磁力搅拌器对溶液进行搅拌； 保持反应沉积液在30℃的温度条件下反应沉积30至120分钟；

步骤8：取出样品，用去离子水清洗，80℃条件下烘干；

步骤9：将烘干后的样品放入敏化炉中进行恒温敏化处理，敏化温度为450℃-600℃，恒 温敏化时间为1～2小时，恒温敏化处理后的样品自然冷却至室温，即得(200)择优取向硫化 铅薄膜。

2.根据权利要求1所述的(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤 6中所采用的基片为硅、石英玻璃或K-9玻璃。

3.根据权利要求1所述的(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤 6和步骤7中溶液体系的温度控制方式采用恒温水浴控制方式。

4.根据权利要求1所述的(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤 6中所采用的基片需按以下步骤进行清洗：首先将基片置于重铬酸钾溶液中浸泡两个小时用 去离子水清洗；然后采用丙酮超声清洗10-15分钟；再采用无水乙醇室温下超声清洗10-15 分钟；最后干燥待用。

5.根据权利要求1所述的(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤 9中所述敏化炉为普通的管式炉，具体恒温敏化处理时采用大气或含氧气氛的敏化气氛。