[发明专利]副安装座及其制造方法有效
| 申请号： | 200910168047.8 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101656236A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 大鹿嘉和;中野雅之 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 白 丽;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 安装 及其 制造 方法 | ||
1.一种副安装座，其是具有在副安装座基板上形成的电极层和在 该电极层上形成的钎焊层、从而由所述钎焊层来接合半导体元件的副安 装座，其特征在于，
构成所述钎焊层的元素的组成比在钎焊层的深度方向上连续地变 化，以使接合所述半导体元件的表面侧的熔点比其背面侧的熔点低。
2.如权利要求1所述的副安装座，其特征在于，所述钎焊层的表 面侧的熔点与背面侧的熔点之差比10℃大。
3.如权利要求1或2所述的副安装座，其特征在于，构成所述钎 焊层的材料是包含Au、Ag、Cu、Zn、In、Bi、Fe、Pb、Ti、Al、Sb和 Ni中的至少一种以上的金属材料与Sn的合金。
4.如权利要求1所述的副安装座，其特征在于，构成所述副安装 座基板的材料是氮化铝、碳化硅和硅中的任一种。
5.如权利要求1所述的副安装座，其特征在于，构成所述钎焊层 的元素的组成分布为直线性、曲线性或阶段状地变化。
6.一种副安装座的制造方法，其是将由多种构成元素构成的钎焊 层覆盖在副安装座基板上形成的电极层上、从而将半导体元件接合在所 述钎焊层上的副安装座的制造方法，其特征在于，
按下述方式形成所述钎焊层：通过蒸镀钎焊层的每种构成元素以使 它们的组成比在钎焊层的深度方向上变化；
其中，使构成所述钎焊层的元素的组成比连续地变化，以使接合所 述半导体元件的表面侧的熔点比其背面侧的熔点低。
7.如权利要求6所述的副安装座的制造方法，其特征在于，使所 述钎焊层在深度方向的组成比为直线性、曲线性或阶段状地变化。
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