[发明专利]薄膜场效应晶体管和使用该薄膜场效应晶体管的显示器有效

申请号：	200910168314.1	申请日：	2009-08-27
公开（公告）号：	CN101673770A	公开（公告）日：	2010-03-17
发明（设计）人：	板井雄一郎	申请（专利权）人：	富士胶片株式会社
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/12;H01L21/34;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司：	永新专利商标代理有限公司	代理人：	邬少俊;王英
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	薄膜场效应晶体管使用显示器
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【权利要求书】：

1.一种薄膜场效应晶体管，包括在其上至少有栅电极、栅极绝缘膜、有源层、源电极和漏电极的衬底，其中所述有源层为氧化物半导体层，在所述有源层和所述源电极或漏电极中的至少一个之间提供电导率低于所述有源层的电导率的电阻层，并在所述有源层和所述电阻层之间提供包括氧化物的中间层以覆盖所述有源层的在设置所述源电极和所述漏电极一侧的整个表面，所述氧化物中的元素与氧的结合力强于所述有源层中氧化物半导体中的元素与氧的结合力。

2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其中，包括与所述中间层中所含氧的结合力强的元素的所述氧化物是包含从Ba、Ca、Ti、Fe、Ga、 Mg、Al、Ge和Si构成的组中选择的至少一种元素的氧化物。

3.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述电阻层为氧化物半导体层。

4.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述有源层的电导率为10^-4Scm^-1或更大且小于10²Scm^-1，且所述有源层的电导率与所述电阻层的电导率之比为10¹到10¹⁰。

5.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述中间层还包含氧化物半导体。

6.根据权利要求4所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述有源层的电导率为10^-1Scm^-1或更大且小于10²Scm^-1。

7.根据权利要求4所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述有源层的电导率与所述电阻层的电导率之比为10²到10¹⁰。

8.根据权利要求7所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述有源层的电导率与所述电阻层的电导率之比为10²到10⁸。

9.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述有源层的氧化物半导体为非晶氧化物。

10.根据权利要求3所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述电阻层的氧化物半导体为非晶氧化物。

11.根据权利要求5所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述中间层的氧化物半导体为非晶氧化物。

12.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述有源层的厚度比所述电阻层的厚度大。

13.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其中，所述衬底为柔性树脂衬底。