[发明专利]太阳能电池衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 200910168518.5 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101800262A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 希恩-明·H·勒;戴维·坦纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;黄韧敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 衬底 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造光电器件的方法，包括：
在玻璃衬底上沉积透明导电氧化物层；
在透明导电氧化物层上沉积硅层；
在硅层上形成背接触，包括形成沉积在硅层上的氧化锌层，在硅层上沉积中间层，以及在中间层上沉积银层；和
穿过背接触激光刻划。
2.如权利要求1的方法，其中沉积一定厚度的中间层，使得波长在大约550nm和850nm之间的光穿过该器件的透射占穿过背接触中没有中间层的光电器件的光透射的5％之内。
3.如权利要求1的方法，其中沉积一定厚度的中间层，使得波长在大约800nm和1000nm之间的光在该器件中的反射占穿过背接触中没有中间层的光电器件的光反射的大约5％之内。
4.如权利要求1的方法，其中穿过背接触激光刻划没有导致银层的剥落。
5.如权利要求4的方法，其中中间层包括Cr。
6.如权利要求1的方法，其中中间层包括Cr、Ti、Mo、Si，Cr、Ti、Mo和Si的氧化物中的一种或者多种，及其组合。
7.如权利要求1的方法，其中中间层包括Cr的氧化物。
8.如权利要求7的方法，其中中间层包括Cr2O3。
9.如权利要求1的方法，其中中间层具有小于大约的厚度。
10.如权利要求7的方法，其中中间层具有小于大约的厚度。
11.如权利要求10的方法，其中中间层具有小于大约的厚度。
12.如权利要求11的方法，其中沉积一定厚度的中间层，使得波长在大约550nm和850nm之间的光穿过该器件的透射占穿过背接触中没有中间层的光电器件的光透射的5％之内。
13.如权利要求11的方法，其中沉积一定厚度的中间层，使得波长在大约800nm和1000nm之间的光在该器件中的反射占穿过背接触中没有中间层的光电器件的光反射的大约5％之内。
14.一种光电电池，包括：
在玻璃衬底上的透明导电氧化物层；
在透明氧化物层上的硅层；以及
背接触，包括AZO层、具有小于大约厚度的中间层、和在中间层上的银层。
15.如权利要求14的光电电池，其中中间层包括Cr、Ti、Mo、Si，Cr、Ti、Mo和Si的氧化物中的一种或者多种，及其组合。
16.如权利要求14的光电电池，其中中间层包括Cr2O3。
17.如权利要求16的光电电池，其中中间层具有小于大约的厚度。
18.如权利要求17的光电电池，其中中间层具有这样的厚度，其使得波长在大约550nm和850nm之间的光穿过该器件的透射占穿过背接触中没有中间层的光电器件的光透射的5％之内。
19.如权利要求17的光电电池，其中中间层具有这样的厚度，其使得波长在大约800nm和1000nm之间的光在该器件中的反射占穿过背接触中没有中间层的光电器件的光反射的大约5％之内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
