[发明专利]包埋层水阻障性的改进

权利要求书

1.一种在基板处理系统中沉积多层的包埋层至基板上的方法，包含：

在200℃或更低的基板温度下沉积一层或多层含硅无机阻障层至所述 基板表面上，其包含传送由前驱物组成的第一混合物及氢气至所述基板处 理系统中；

交替沉积所述一层或多层含硅无机阻障层与一层或多层低介电常数材 料层，所述交替沉积的步骤包含传送由前驱物组成的第二混合物至所述基 板处理系统中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述多层的包埋层的厚度为或更多。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述多层的包埋层的表面粗糙度低 于或更少。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述多层的包埋层具有改良的水阻 障效能，其水蒸气穿透率在38℃及90％的相对湿度下，低于1x10^-2克/平 方米/天。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述多层的包埋层具有改良的水阻 障效能，且在经过100℃、100小时的水分测试后，其折射率(RI)几乎没有 改变。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述一层或多层的含硅无机阻障层 中的一层是被沉积作为所述基板上所述多层的包埋层的第一层。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述一层或多层的含硅无机阻障层 中的一层是被沉积作为所述多层的包埋层的最后一层。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述一层或多层的含硅无机阻障层 是在20℃至100℃间的基板温度下被沉积。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述由前驱物组成的第一混合物包 含一种选自下列的化合物：硅烷、SiF₄、Si₂H₆及其组合。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述由前驱物组成的第一混合物 更包含一种选自下列的含氮化合物：氨、N₂O、NO、N₂及其组合。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述由前驱物组成的第一混合物 更包含一种选自下列的化合物：含碳气体、含氧气体及其组合。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述一层或多层含硅无机阻障层 包含一种选自下列的材料：氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳化硅及其组合。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述一层或多层低介电常数材料 层包含一种选自下列的材料：非晶形碳、类钻碳及其组合。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述由前驱物组成的第二混合物 包含一种选自下列的化合物：乙炔、乙烷、乙烯、甲烷、丙烯、丙炔、丙 烷、丁烷、丁烯、丁二烯、苯、甲苯及其组合。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述基板处理系统的电力密度在 沉积期间是维持在0.2瓦/平方厘米至0.8瓦/平方厘米间。

16.如权利要求1所述的方法，更包含以等离子体清洁所述基板表面 的步骤，所述等离子体是由一种选自下列的气体中产生：含氧气体、含氢 气体、含氮气体、惰性气体及其组合。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述数个数层含硅无机阻障层及 所述一层或多层低介电常数材料层是在所述基板处理系统中的单一处理室 中沉积。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述多层的包埋层是沉积在组件 上，并可在60℃、85％的高湿度测试条件下延长所述组件寿命超过1440 小时。