[发明专利]一种利用四氯化硅生产三氯氢硅的方法无效

专利信息
申请号: 200910169130.7 申请日: 2009-09-09
公开(公告)号: CN102020282A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 朱国平;潘和平;夏进京;刘兴国 申请(专利权)人: 重庆大全新能源有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 404000 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 氯化 生产 三氯氢硅 方法
【权利要求书】:

1.一种利用四氯化硅生产三氯氢硅的方法,其特征在于,包括:

a)对四氯化硅进行提纯;

b)对氢气进行净化;

c)将四氯化硅和氢气进行混合;

d)将四氯化硅和氢气的混合气体用蒸汽和氢化反应的尾气中的一种或两种进行预热;

e)将预热后的四氯化硅和氢气的混合气体进行氢化反应;

f)将氢化反应的尾气进行回收,分馏出三氯氢硅。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤a)对四氯化硅进行提纯为提纯至纯度大于等于99.99%。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤b)对氢气进行净化为净化至纯度大于等于99.999%。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤c)中四氯化硅与氢气的摩尔比为1∶2~1∶4。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤d)具体为将四氯化硅利用蒸汽和氢化反应的尾气中的一种或两种蒸发为气相;再将蒸发后的混合气体利用氢化反应的尾气进一步加热。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述四氯化硅蒸发后,混合气体的温度达到100℃~200℃。

7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述混合气体利用氢化反应的尾气进一步加热后,温度达到200℃~400℃。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤e)中四氯化硅的进料量为2t/h~8t/h。

9.根据权利要求1或8所述的方法,其特征在于,所述步骤e)中氢化反应的条件为温度1200℃~1300℃,压力0.3MPa~0.7MPa。

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