[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 200910169153.8 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101673677A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉仁;林益安;林日泽;林志忠;林毓超;陈昭成;黄国泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
于一半导体基板上形成一栅极结构，其中上述栅极结构包括多晶硅；
于上述基板及上述栅极结构上沉积一涂层；
回蚀上述涂层，使部分的上述栅极结构露出；以及
回蚀上述露出的栅极结构，使上述涂层的上表面低于上述栅极结构的上 表面，其中回蚀上述露出的栅极结构包括蚀刻多晶硅。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成上述栅极结构 包括：
形成一高介电系数的介电层；
于上述高介电系数的介电层上形成一金属层，其中上述金属层提供上述 栅极结构的功函数；以及
于上述金属层上形成一多晶硅层。
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中上述回蚀露出的栅 极结构及回蚀涂层在同一处进行。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中上述涂层包括光致 抗蚀剂。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中上述蚀刻多晶硅提 供一降低的栅极高度。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括自上述栅极结构 蚀刻移除一硬罩层。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中上述涂层包括氧化 材料。
8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在形成上述涂层 之前，形成一相邻于上述栅极结构的应变区。
9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在形成上述涂层 之前，形成一相邻于上述栅极结构的间隔元件。
10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在形成上述涂 层之前，形成一接触层。
11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在形成上述涂 层之前，注入源极区或漏极区。
12.一种半导体装置的制造方法，包括：
提供一基板；
于上述基板上沉积一介电层；
于上述介电层上沉积一栅极层；
图案化上述介电层及上述栅极层，形成一具有第一高度的栅极结构；
于上述基板上形成一涂层，上述涂层围绕上述栅极结构；
蚀刻上述涂层的厚度，使上述涂层的上表面低于上述栅极结构的上表 面；以及
蚀刻上述栅极结构，其中蚀刻上述栅极结构形成一第二高度，上述第二 高度小于上述第一高度。
13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中蚀刻上述栅极结 构包括蚀刻多晶硅。
14.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中上述栅极结构为 一高介电系数的金属栅极结构。
15.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中减少上述涂层的 厚度包括干蚀刻工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
