[发明专利]半导体功率器件双面蒸发冷却压接封装

权利要求书

1.一种重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装，其特征在于所述半导体功率器件封装包括2个密封腔体金属蒸发室，所述的每个蒸发室的一个侧面设有安装平台，两个安装平台从两面压装一个半导体功率器件管芯，与所述半导体功率器件管芯有控制引线面压接金属蒸发室的安装平台留有沟槽，控制引线与其保护管穿过沟槽引出，所述的2个蒸发室的底部和上部分别设置冷媒液体入口和冷媒汽体或汽液两相流出口，冷媒液体入口由绝缘软管并联后或直接连接至系统冷凝器的冷媒液体回流管，汽体或汽液两相流出口由绝缘软管并联后或直接连或经汽液分离室接至系统冷凝器的顶端；

2.一种重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装，其特征在于所述半导体功率器件封装包括3个密封腔体金属蒸发室，其中的一个蒸发室两个侧面设有安装平台，其余的两个蒸发室一个侧面设有安装平台，两个侧面设有安装平台的蒸发室置于中间，每个侧面各压装一个半导体功率器件管芯，其余的两个蒸发室在两个半导体功率器件管芯的外面压接，所述的3个蒸发室的底部和上部分别设置冷媒液体入口和汽体或汽液两相流出口，冷媒液体入口由绝缘软管并联后或直接连接至系统冷凝器的冷媒液体回流管，汽体或汽液两相流出口由绝缘软管并联后或直接连或经汽液分离室接至系统冷凝器的顶端；

3.根据权利要求1和2所述的重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装，其特征在于蒸发室由导热和导电性能好的金属制成，优选铜或铜合金，所述蒸发室同时实现器件与外部的电连接；

4.根据权利要求1和2所述的重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装，其特征在于所述的蒸发室的周边配有固定螺栓，所述的固定螺栓至少要与其中的一个蒸发室电绝缘，固定螺栓的一边或两边伸出蒸发室，并配置弹簧，保证对半导体功率器件管芯的压力，实现良好的电和热传递；

5.一种重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装，所述半导体功率器件封装包括密封腔体金属蒸发室，所述的每个蒸发室的一个或两个侧面设有安装平台，半导体功率器件管芯由两个安装平台从两面压装，其特征在于其中的一个安装平台是由厚度为0.5-1.5mm的薄铜板构成，半导体功率器件管芯的压力是由蒸发室内的冷媒压强通过薄铜板实现；

6.一种重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装，其特征在于所述半导体功率器件封装包括密封腔体金属蒸发室，所述的金属蒸发室侧面上压装多个半导体功率器件管芯，直接电连接最多的管芯通过与所述金属蒸发室的直接压接同时实现电连接和热接触，在所述的金属蒸发室的侧面上设置DBC陶瓷导热绝缘隔离岛，安装无法与所述的金属蒸发室直接电连接的半导体功率器件管芯，工程实施例三相整流桥的金属蒸发室一个侧面压装6个二极管，所述金属蒸发室安装面的上部设置3个安装平台，压装3个共阳极的二极管，下部设置一个DBC陶瓷导热绝缘隔离岛，压装3个共阴极的二极管，工程实施例三相整流桥的金属蒸发室一个侧面压装6个二极管，另一个侧面压装6个IGBT，所述金属蒸发室安装面的上部每面设置3个安装平台，下部每面设置一个DBC陶瓷导热绝缘隔离岛，压装一个变频调速系统的主要功率器件。