[发明专利]非易失性静态随机存取存储器元件

权利要求书

1.一种非易失性静态随机存取存储器元件，其包含以阵列方式设置的多个存储单元，每一存储单元包含：

一易失性电路，用来在接收到一外部电源时，于一数据真值端点和一数据补码端点储存一位数据；以及

一非易失性电路，用来在该外部电源从该易失性电路移除时保存该位数据，该非易失性电路包含：

一反向电路，其包含：

一输入端，耦接于该数据补码端点；以及

一输出端，耦接于该数据真值端点；以及

一非易失性可抹除可编程存储器电路，其包含：

一可编程晶体管，用来在该外部电源供应中断时储存该数据补码端点的数据；

一储存晶体管，用来在该外部电源供应状态发生变化时，将该可编程晶体管电性连接至该数据补码端点；以及

一清除晶体管，用来在该外部电源恢复供应时，将该可编程晶体管电性连接至一第一电源以清除该可编程晶体管内的数据。

2.根据权利要求1所述的非易失性静态随机存取存储器元件，其中该反向电路包含：

一第一晶体管，其包含：

一控制端，耦接于该反向电路的输入端；

一第一端，耦接于该第一电源；以及

一第二端，耦接于该反向电路的输出端；以及

一第二晶体管，其包含：

一控制端，耦接于该反向电路的输入端；

一第一端，耦接于一第二电源，其中该第二电源的电位低于该第一电源的电位；以及

一第二端，耦接于该反向电路的输出端。

3.根据权利要求2所述的非易失性静态随机存取存储器元件，其中该第一晶体管为一P型场效应晶体管，而该第二晶体管为一N型场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的非易失性静态随机存取存储器元件，其中：

该储存晶体管包含：

一控制端，用来接收一第一控制信号，该第一控制信号相关于该外部电源供应状态的变化；

一第一端，耦接于该数据补码端点；以及

一第二端；

该可编程晶体管包含：

一控制端，用来接收一第二控制信号，该第二控制信号相关于该外部电源供应的中断；

一第一端，耦接于该储存晶体管的第二端；以及

一第二端；而

该清除晶体管包含：

一控制端，用来接收一第三控制信号，该第三控制信号相关于该外部电源的恢复供应；

一第一端，耦接于该可编程晶体管的第二端；以及

一第二端，耦接于该第一电源。

5.根据权利要求4所述的非易失性静态随机存取存储器元件，其中该储存晶体管和该清除晶体管为N型场效应晶体管。

6.根据权利要求4所述的非易失性静态随机存取存储器元件，其中该可编程晶体管为一硅氧氮氧硅场效应晶体管、一能带工程硅氧氮氧硅场效应晶体管、一金属氧氮氧硅场效应晶体管、一氮化钽氧化铝氮氧硅场效应晶体管、一双闸晶体管、一铁电随机存储器、一磁阻随机存储器、或是一相变存储器。

7.根据权利要求1所述的非易失性静态随机存取存储器元件，其中该易失性电路包含：

一储存单元，用来锁存该位数据的状态；

一第一存取晶体管，用来依据一字线的电位将该储存单元电性连接至一第一位线；以及

一第二存取晶体管，用来依据该字线的电位将该储存单元电性连接至一第二位线。

8.根据权利要求7所述的非易失性静态随机存取存储器元件，其中：

该第一存取晶体管包含：

一控制端，耦接于该字线；

一第一端，耦接于该数据真值端点；以及

一第二端，耦接于该第一位线；而

该第二存取晶体管包含：

一控制端，耦接于该字线；

一第一端，耦接于该数据补码端点；以及

一第二端，耦接于该第二位线。

9.根据权利要求8所述的非易失性静态随机存取存储器元件，其中该第一和第二存取晶体管为N型场效应晶体管。