[发明专利]有机发光二极管触控面板及其制作方法无效
申请号: | 200910170460.8 | 申请日: | 2009-08-26 |
公开(公告)号: | CN101635276A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;黄戎岩;彭佳添;陈俊雄;黄伟明 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/314;H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜 燕;陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种有机发光二极管触控面板的制作方法,包括:
提供一基板,该基板上定义有至少一像素区域,且该像素区域中定义有一显示区域与一感测区域;
于该基板上形成一第一薄膜晶体管与一第二薄膜晶体管,分别位于该显示区域与该感测区域中;
于该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管上方形成一第一导电膜;
图案化该第一导电膜而形成一发光下电极部与一感光下电极部,该发光下电极部与该感光下电极部分别位于该显示区域与该感测区域中,且分别电连接至该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管;
于该发光下电极部上形成一图案化有机发光层;
于该感光下电极部上形成一图案化感光介电层;
于该图案化有机发光层与该图案化感光介电层上形成一第二导电膜;以及
图案化该第二导电膜而形成一发光上电极部与一感光上电极部,该发光上电极部与该感光上电极部分别位于该图案化有机发光层与该图案化感光介电层上。
2.如权利要求1所述的制作方法,其中该图案化感光介电层包括一富硅氧化硅层、一富硅氮化硅层、一富硅氮氧化硅层、一富硅碳化硅层或一富硅碳氧化硅。
3.如权利要求1所述的制作方法,其中该图案化感光介电层包括一微米硅层、一纳米硅层、一多晶硅层或一非晶硅层。
4.如权利要求1所述的制作方法,其中形成该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管的步骤包括:
于该基板上的该显示区域与该感测区域中分别形成一图案化多晶硅层;
形成一栅极绝缘层覆盖所述图案化多晶硅层与该基板上;
于各所述图案化多晶硅层上方的该栅极绝缘层表面分别形成一栅极;
于各所述多晶硅层中形成多个源极/漏极区域;
沉积一层间绝缘层,覆盖所述栅极和该栅极绝缘层;
蚀刻该层间绝缘层与该栅极绝缘层以形成多个第一介层洞于所述多个源极/漏极区域上;
于所述多个介层洞中与部分的该层间绝缘层上形成一图案化源极/漏极导电层;
于该图案化源极/漏极导电层和该层间绝缘层之上形成一保护层;以及
蚀刻该保护层,以于该图案化源极/漏极导电层上形成多个第二介层洞。
5.如权利要求1所述的制作方法,其中形成该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管的步骤包括:
于该基板上的该显示区域与该感测区域中分别形成一栅极;
形成一栅极绝缘层覆盖所述栅极与该基板上;
于各所述栅极上方的该栅极绝缘层表面形成一图案化非晶硅层与一图案化掺杂非晶硅层;
于所述图案化掺杂非晶硅层上形成一导电层;
蚀刻该导电层与所述图案化掺杂非晶硅层,以形成多个图案化源极/漏极导电层与多个源极/漏极区域;以及
于所述图案化源极/漏极导电层上形成一图案化保护层。
6.如权利要求1所述的制作方法,其中该第一导电膜包括一透明导电材料,而该第二导电膜包括一金属导电材料。
7.如权利要求1所述的制作方法,其中该第一导电膜包括一金属导电材料,而该第二导电膜包括一透明导电材料。
8.如权利要求1所述的制作方法,其中于形成该图案化有机发光层之后,再形成该图案化感光介电层。
9.如权利要求1所述的制作方法,其中于形成该图案化感光介电层之后,再形成该图案化有机发光层。
10.如权利要求1所述的制作方法,其中形成该图案化有机发光层的步骤包括沉积多个图案化有机发光膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910170460.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造