[发明专利]显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200910170467.X | 申请日: | 2005-09-15 |
公开(公告)号: | CN101673758A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 村上智史;大谷久;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林毅斌;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示器件,包括:
第一衬底;
所述第一衬底上的具有源区、漏区以及沟道区的薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管上的第一绝缘层;
所述第一绝缘层上的第一电极;
所述第一电极上的具有到达所述第一电极的开口的第二绝缘 层,其中所述第二绝缘层覆盖所述第一电极的边缘部分;
所述第一电极上并且在所述开口内侧的第三绝缘层;
所述第一电极上的场致发光层;
所述场致发光层上的第二电极;以及
所述第二电极上的第二衬底。
2.一种显示器件,包括:
第一衬底;
所述第一衬底上的具有源区、漏区以及沟道区的薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管上的第一绝缘层;
所述第一绝缘层上的第一电极;
所述第一电极上的具有到达所述第一电极的开口的第二绝缘 层,其中所述第二绝缘层覆盖所述第一电极的边缘部分;
所述第一电极上并且在所述开口内侧的第三绝缘层;
所述第一电极上的场致发光层;
所述场致发光层上的第二电极;以及
所述第二电极上的第二衬底,
其中,所述第三绝缘层包含与所述第二绝缘层相同的材料。
3.一种显示器件,包括:
第一衬底;
所述第一衬底上的具有源区、漏区以及沟道区的薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管上的第一绝缘层;
所述第一绝缘层上的第一电极;
所述第一电极上的具有到达所述第一电极的开口的第二绝缘 层,其中所述第二绝缘层覆盖所述第一电极的边缘部分;
所述第一电极上并且在所述开口内侧的第三绝缘层;
所述第一电极上的场致发光层;
所述场致发光层上的第二电极;
所述第二电极上的第二衬底;以及
夹在所述第一衬底和第二衬底之间的密封材料,
其中,所述密封材料与所述第二绝缘层不接触。
4.根据权利要求1、2和3中任一项的显示器件,其中所述第 三绝缘层为柱形。
5.根据权利要求1、2和3中任一项的显示器件,其中所述第 三绝缘层和所述第二绝缘层彼此分离。
6.根据权利要求1、2和3中任一项的显示器件,其中所述第 三绝缘层和所述第二绝缘层连接。
7.根据权利要求1、2和3中任一项的显示器件,其中所述第 一绝缘层包含有机绝缘材料。
8.根据权利要求1、2和3中任一项的显示器件,其中所述第 一绝缘层是双层堆叠结构。
9.根据权利要求1、2和3中任一项的显示器件,其中所述第 一绝缘层是无机绝缘材料和有机绝缘材料的双层堆叠结构。
10.根据权利要求1、2和3中任一项的显示器件,其中所述薄 膜晶体管具有晶体半导体层。
11.根据权利要求1、2和3中任一项的显示器件,其中所述场 致发光层发射白光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的