[发明专利]发光元件有效
申请号: | 200910170468.4 | 申请日: | 2004-12-17 |
公开(公告)号: | CN101673808A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 熊木大介;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 朱海煜;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,包含:
阳极;
形成在该阳极上的第一层,所述第一层包含发光材料;
形成在该第一层上的第二层,所述第二层包含第一有机化合物 和对该第一有机化合物具有电子施主性能的材料;
形成在该第二层上的第三层,所述第三层包含具有电子受主性 能的材料;以及
形成在该第三层上的阴极,
其中所述具有电子施主性能的材料选自碱金属、碱土金属和稀 土金属。
2.根据权利要求1的发光元件,
其中该具有电子受主性能的材料选自氧化钒、氧化铬、氧化钼、 氧化钴和氧化镍。
3.根据权利要求1的发光元件,
其中该具有电子受主性能的材料是氧化钼。
4.根据权利要求1的发光元件,
其中该第三层还含有呈现空穴传输性能的化合物。
5.根据权利要求1的发光元件,
其中该第三层还含有芳香胺化合物。
6.根据权利要求1的发光元件,
其中该第三层与该阴极接触。
7.根据权利要求1的发光元件,
其中该阴极具有对可见光透明的导电材料。
8.根据权利要求1的发光元件,
其中该阴极为分层结构,该分层结构包含:
金属薄膜;以及
选自氧化铟锡,氧化铟锡硅,氧化铟锡-氧化锌和氧化锌中的 透明导电膜。
9.一种发光元件,包含:
阳极;
形成在该阳极上的第一层,所述第一层包含氧化钼;
形成在该第一层上的第二层,所述第二层包含发光材料;
形成在该第二层上的第三层,所述第三层包含第一有机化合物 和对该第一有机化合物具有电子施主性能的材料;
形成在该第三层上的第四层,所述第四层包含具有电子受主性 能的材料;以及
形成该第四层上的阴极,
其中所述具有电子施主性能的材料选自碱金属、碱土金属和稀 土金属。
10.根据权利要求9的发光元件,
其中该具有电子受主性能的材料选自氧化钒、氧化铬、氧化钼、 氧化钴和氧化镍。
11.根据权利要求9的发光元件,
其中该具有电子受主性能的材料是氧化钼。
12.根据权利要求9的发光元件,
其中该第四层还含有呈现空穴传输性能的化合物。
13.根据权利要求9的发光元件,
其中该第四层还含有芳香胺化合物。
14.根据权利要求9的发光元件,
其中该第四层与该阴极接触。
15.根据权利要求9的发光元件,
其中该第一层还含有芳香胺化合物。
16.根据权利要求9的发光元件,
其中该阴极具有对可见光透明的导电材料。
17.根据权利要求9的发光元件,
其中该阴极为分层结构,该分层结构包含:
金属薄膜;以及
选自氧化铟锡,氧化铟锡硅,氧化铟锡-氧化锌和氧化锌中的 透明导电膜。
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