[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 200910170468.4 申请日: 2004-12-17
公开(公告)号: CN101673808A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 熊木大介;濑尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 朱海煜;李家麟
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种发光元件,包含:

阳极;

形成在该阳极上的第一层,所述第一层包含发光材料;

形成在该第一层上的第二层,所述第二层包含第一有机化合物 和对该第一有机化合物具有电子施主性能的材料;

形成在该第二层上的第三层,所述第三层包含具有电子受主性 能的材料;以及

形成在该第三层上的阴极,

其中所述具有电子施主性能的材料选自碱金属、碱土金属和稀 土金属。

2.根据权利要求1的发光元件,

其中该具有电子受主性能的材料选自氧化钒、氧化铬、氧化钼、 氧化钴和氧化镍。

3.根据权利要求1的发光元件,

其中该具有电子受主性能的材料是氧化钼。

4.根据权利要求1的发光元件,

其中该第三层还含有呈现空穴传输性能的化合物。

5.根据权利要求1的发光元件,

其中该第三层还含有芳香胺化合物。

6.根据权利要求1的发光元件,

其中该第三层与该阴极接触。

7.根据权利要求1的发光元件,

其中该阴极具有对可见光透明的导电材料。

8.根据权利要求1的发光元件,

其中该阴极为分层结构,该分层结构包含:

金属薄膜;以及

选自氧化铟锡,氧化铟锡硅,氧化铟锡-氧化锌和氧化锌中的 透明导电膜。

9.一种发光元件,包含:

阳极;

形成在该阳极上的第一层,所述第一层包含氧化钼;

形成在该第一层上的第二层,所述第二层包含发光材料;

形成在该第二层上的第三层,所述第三层包含第一有机化合物 和对该第一有机化合物具有电子施主性能的材料;

形成在该第三层上的第四层,所述第四层包含具有电子受主性 能的材料;以及

形成该第四层上的阴极,

其中所述具有电子施主性能的材料选自碱金属、碱土金属和稀 土金属。

10.根据权利要求9的发光元件,

其中该具有电子受主性能的材料选自氧化钒、氧化铬、氧化钼、 氧化钴和氧化镍。

11.根据权利要求9的发光元件,

其中该具有电子受主性能的材料是氧化钼。

12.根据权利要求9的发光元件,

其中该第四层还含有呈现空穴传输性能的化合物。

13.根据权利要求9的发光元件,

其中该第四层还含有芳香胺化合物。

14.根据权利要求9的发光元件,

其中该第四层与该阴极接触。

15.根据权利要求9的发光元件,

其中该第一层还含有芳香胺化合物。

16.根据权利要求9的发光元件,

其中该阴极具有对可见光透明的导电材料。

17.根据权利要求9的发光元件,

其中该阴极为分层结构,该分层结构包含:

金属薄膜;以及

选自氧化铟锡,氧化铟锡硅,氧化铟锡-氧化锌和氧化锌中的 透明导电膜。

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