[发明专利]固态成像器件和制造固态成像器件的方法

权利要求书

1.一种固态成像器件，包括：

包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及

含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上，并且 覆盖并接触所述半导体衬底

其中，所述氧化物绝缘膜被设置作为具有固定负电荷的负电荷累积 层，并且

所述负电荷累积层具有的碳浓度在6×10¹⁹原子/cm³到5×10²¹原子 /cm³的范围内。

2.如权利要求1所述的固态成像器件，其中由所述负电荷累积层中 累积的负电荷的作用所形成的空穴累积层被设置在所述传感器的表面层 中。

3.如权利要求1或2所述的固态成像器件，其中所述氧化物绝缘膜 使用金属氧化物构成。

4.如权利要求3所述的固态成像器件，其中所述金属氧化物是氧化 铪、氧化锆、氧化铝、氧化钛、或氧化钽。

5.如权利要求1或2所述的固态成像器件，其中所述氧化物绝缘膜 使用硅基材料构成。

6.如权利要求5所述的固态成像器件，其中使用硅基材料构成的所 述氧化物绝缘膜包含硼和磷中的至少一种。

7.如权利要求1或2所述的固态成像器件，其中所述传感器是二极 管，所述二极管包含P型扩散层和布置在所述P型扩散层上的N型扩散 层。

8.如权利要求7所述的固态成像器件，还包括：

由另一N型扩散层构成的浮动扩散部分，其中，在栅电极设置在所述 半导体衬底上并且处于所述二极管和所述浮动扩散部分之间的情况下，所 述浮动扩散部分被布置在所述二极管的一侧。

9.一种制造固态成像器件的方法，包括如下步骤：

在半导体衬底的表面层中形成包含杂质扩散层的传感器；以及

在所述传感器上沉积含碳的氧化物绝缘膜，同时通过控制含碳的材料 气体的流率比和沉积温度来将碳浓度控制在6×10¹⁹原子/cm³到5×10²¹原 子/cm³的范围内。

10.如权利要求9所述的方法，其中在沉积所述氧化物绝缘膜的步骤 中，通过原子层沉积法和金属有机化学气相沉积法中的一种形成包括金属 氧化物的氧化物绝缘膜。

11.如权利要求9所述的方法，其中在沉积所述氧化物绝缘膜的步骤 中，通过利用四乙氧基硅烷气体的化学气相沉积法形成由硅氧化物基材料 构成的氧化物绝缘膜。