[发明专利]激光二极管阵列制造微图样设备及微图样的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种激光二极管设备，特别有关于激光二极管阵列制造微图样的设备及微图样的制造方法。

背景技术

显示器面板持续朝大尺寸化及可挠性发展。为达到快速且精确制造的效果，制造方法包括黄光显影制程、激光制程、喷墨印刷制程和热写头(thermalprint head)印刷制程。

传统黄光显影制程为成熟的半导体主流技术，其制程复杂且自动化生产成本高。再者，CO₂激光制程亦为目前实际采用的制程技术，然而，其一条图案(pattern)是由数条图案所组成，各条图案之间易有线痕迹，且生产速度慢，激光热源不稳定且品质不易控制。另一方面，喷墨印刷制程制造成本低，然而喷墨液滴不易涂布所有材质，且因液滴的挥发与歪斜，易导致图案品质不稳的问题。

传统微位相差(micro retarder)结构的微位相差板包括两个不同位相差的区域，可通过经过红外线CO₂激光加热处理和未经过激光处理，形成交替相差不同区域的位相差板。美国专利US 6,498,679，揭露使用红外线CO₂激光源加热，制作图案化位相差膜。每次激光扫描只加工一条细线，由相邻的多条细线构成具相差差异的图纹。

发明内容

本发明的目的在于提供一种激光二极管阵列制造微图样的设备及微图样的制造方法，可以快速制造微图样的膜材。

本发明的一实施例提供一种激光二极管阵列制造微图样的设备，包括：一激光二极管阵列具有至少一个激光二极管；其中各激光二极管所发出的光透过一透镜聚焦在位于一第一材料层上的一第二材料层。

本发明另一实施例提供一种激光二极管阵列制造微图样的设备，包括：一激光二极管阵列具有至少一个激光二极管，其中各激光二极管所发出的光透过一透镜聚焦在位于一第一材料层上的一第二材料层；至少一轴驱动，以驱动第一材料层及第二材料层的移动；以及一调整装置，以调整各激光二极管之间的间距。

本发明另一实施例提供一种微图样的制造方法，包括：提供一激光二极管阵列制造设备，该激光二极管阵列具有至少一个激光二极管；将其中各激光二极管所发出的光透过一透镜聚焦在位于一第一材料层上的一第二材料层，借此形成微图样于该第一材料层上。

本发明的激光二极管阵列制造微图样的设备及微图样的制造方法，利用激光二极管阵列的轻小易排列生产的特性，能快速制造微图样的膜材。

为使本发明能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1是显示本发明的一实施例的使用激光二极管阵列制造微图样设备的架构示意图；

图2A和2B是显示根据本发明实施例的激光二极管阵列的架构示意图；

图3A和3B是显示根据本发明实施例的激光二极管阵列制造微图样设备的架构示意图；

图4A和4B是显示根据本发明另一实施例的激光二极管阵列的架构示意图；以及

图5A和5B是显示根据本发明实施例的加工工件结构示意图。

【主要组件符号说明】

100～激光二极管阵列加工制造微图样的设备；

110～激光二极管阵列；

120～聚焦透镜；

130～基座；

140～加工工件；

150～精密轴承马达；

205～X-Y-Z轴微量规平台；

210～激光二极管阵列；

220～激光二极管；

225～散热构件(heat sink)；

230～聚焦透镜；

240～聚焦镜Z-轴于平台；

300a、300b～激光二极管阵列制造微图样的装置；

310～激光二极管阵列；

320～加工工件；

325～微图样；

330～激光二极管测量光源；

340～侦测器；

X～加工工件的行进方向；

Y～激光二极管测量光源的测量方向；

400a、400b～激光二极管阵列；

410a、410b～固定架；

420a、420b～多个激光二极管；

510～第一材料层；

515A、515B～不同相差的微图样；

520～第二材料层。

具体实施方式