[发明专利]设计为用于气相沉积系统中的阱

权利要求书

1.一种设计为用于气相沉积系统中的阱，以捕获前体，其中所述 前体与所述阱的表面起反应以沉积涂层，所述阱的多数表面区域基本上 平行于通过该阱的气态物质流，并且所述阱由无孔金属薄片形成。

2.如权利要求1所述的阱，其中所述阱包括波状表面。

3.如权利要求2所述的阱，其中所述阱是卷绕组件，包括与波状 薄片部分装配在一起的平薄片部分。

4.如权利要求1所述的阱，其中所述阱设计成使得沿着所述阱的 长度的前体沉积距离可以由用户通过眼睛确定，并且所述沉积距离与前 体的过度剂量有关。

5.如权利要求1所述的阱，其中所述阱的至少75％的表面区域基 本上平行于通过所述阱的气态物质流。

6.如权利要求1所述的阱，其中所述阱的至少95％的表面区域基 本上平行于通过所述阱的气态物质流。

7.如权利要求1所述的阱，其中所述阱的基本上所有表面区域基 本上平行于通过所述阱的气态物质流。

8.如权利要求1所述的阱，其中所述阱设计成定位在所述沉积系 统的出口和真空计之间。

9.如权利要求1所述的阱，其中所述系统是原子层沉积系统。

10.如权利要求1所述的阱，其中所述阱设计成捕获未反应的前体。