[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其用于在被处理体的表面形成薄膜，其特征在于，包括：

能够真空排气的处理容器；

氮化铝制的载置台，其设置在所述处理容器内，用于在其上载置所述被处理体；

用于对所述被处理体进行加热的加热单元；

喷淋头部，其与所述载置台对置，用于向所述处理容器内导入必要的气体；和

喷淋头周边部气体供给单元，其用于在所述处理容器内的清洁处理后的升温时，向所述喷淋头部的周边部供给不活泼性气体。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述喷淋头周边部气体供给单元的气体出口设置在所述喷淋头部的外周侧。

3.如权利要求2所述的成膜装置，其特征在于：

在所述喷淋头部的外周侧，隔开微小间隙设置有填充部件，该填充部件的下表面与所述喷淋头部的气体喷射面处于同一水平面。

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

所述填充部件在所述升温时维持在250℃以上。

5.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：

所述微小间隙的下端的开口部形成为所述喷淋头周边部气体供给单元的气体出口，并且所述微小间隙形成为所述喷淋头周边部气体供给单元的气体流路。

6.如权利要求5所述的成膜装置，其特征在于：

在所述气体流路的中途设置有具有多个通气孔的扩散板。

7.如权利要求5所述的成膜装置，其特征在于：

在所述喷淋头周边部气体供给单元的气体出口设置有具有多个气孔的分散板。

8.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：

所述喷淋头周边部气体供给单元一体地组装入所述喷淋头部，

所述喷淋头周边部气体供给单元的气体出口沿着所述喷淋头部的气体喷射面的周边部形成。

9.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：

用于发生等离子体的等离子体形成单元与所述喷淋头部连接，形成上部电极，所述载置台形成下部电极。

10.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：

所述薄膜是钛膜或氮化钛膜。

11.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：

使用原料气体形成所述薄膜，原料气体是选自TiCl₄、TDMAT(二甲氨基钛)和TDEAT(二乙氨基钛)中的一种以上的气体。

12.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：

所述清洁处理中使用的清洁气体是氟类气体。

13.如权利要求12所述的成膜装置，其特征在于：

所述氟类气体是选自ClF₃、NF₃、C₂F₆、F₂和HF中的一种以上的气体。

14.一种成膜方法，其使用权利要求1～13中任一项所述的成膜装置，在第一温度下在被处理体的表面形成薄膜，其特征在于，包括：

清洁工序，其中，使用包含氟类气体的清洁气体，在低于所述第一温度的第二温度下对所述处理容器内进行清洁；

升温工序，其中，将所述载置台从所述第二温度向所述第一温度升温，同时从喷淋头部供给不活泼性气体，并且从喷淋头周边部气体供给单元供给不活泼性气体；

预涂敷工序，其中，向所述处理容器内导入成膜用气体，形成预涂敷膜；和

成膜工序，其中，将所述载置台维持在所述第一温度，在所述被处理体上形成薄膜。