[发明专利]层叠型半导体发光装置和图像形成设备有效
申请号: | 200910171368.3 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN101677107A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 铃木贵人;猪狩友希 | 申请(专利权)人: | 日本冲信息株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;G09F9/33 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;李家麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 半导体 发光 装置 图像 形成 设备 | ||
1.一种层叠型半导体发光装置,包括:
多个半导体发光元件,每个半导体发光元件包括将电转换为光并且发 射所述光的发光区域,所述半导体发光元件在垂直于发光表面的方向上成 层,所述半导体发光元件经由具有电绝缘性能的平坦化层而彼此接合,
其中所述平坦化层包括:
第一平坦化区域,其在所述半导体发光元件的成层方向上安置于所述 半导体发光元件的所述发光区域上方或下方,所述第一平坦化区域由第一 平坦化膜形成,和
第二平坦化区域,其布置于所述第一平坦化区域的周围,所述第二平 坦化区域由第二平坦化膜形成,该第二平坦化膜不同于第一平坦化膜,
其中,在所述半导体发光元件的所述成层方向上,安置于上侧上的所 述半导体发光元件传输由安置于下侧上的所述半导体发光元件所发射的 光,
其中所述第一平坦化膜具有比空气更高的折射率,并且所述第二平坦 化膜具有比所述第一平坦化膜更低的折射率。
2.一种层叠型半导体发光装置,包括:
多个半导体发光元件,每个半导体发光元件包括将电转换为光并且发 射所述光的发光区域,所述半导体发光元件在垂直于发光表面的方向上成 层,所述半导体发光元件经由具有电绝缘性能的平坦化层而彼此接合,
其中所述平坦化层包括:
第一平坦化区域,其在所述半导体发光元件的成层方向上安置于所述 半导体发光元件的所述发光区域上方或下方;
第二平坦化区域,其布置于所述第一平坦化区域的周围;和
由空气层构成的分离槽,其形成于所述第一平坦化区域与所述第二平 坦化区域之间,
其中,在所述半导体发光元件的所述成层方向上,安置于上侧上的所 述半导体发光元件传输由安置于下侧上的所述半导体发光元件所发射的 光,
形成所述第一平坦化区域的第一平坦化膜与形成所述第二平坦化区 域的第二平坦化膜由相同的材料构成,
其中所述分离槽产生折射率的差异。
3.根据权利要求1或2的层叠型半导体发光装置,其中所述平坦化层 由有机绝缘膜或无机绝缘膜形成。
4.根据权利要求1或2的层叠型半导体发光装置,其中所述半导体发 光元件借助于分子间力而被接合到所述平坦化层。
5.根据权利要求1或2的层叠型半导体发光装置,其中安置于所述下 侧上的所述半导体发光元件发射光,该光的波长比安置于所述上侧上的所 述半导体发光元件所发射的光的波长更长。
6.根据权利要求1或2的层叠型半导体发光装置,其中所述半导体发 光元件包括选自下列之中的至少两种半导体发光元件:
发射红光的半导体发光元件;
发射绿光的半导体发光元件;和
发射蓝光的半导体发光元件。
7.一种图像形成设备,包括:
多个根据权利要求1或2所述的层叠型半导体发光装置,和
基片,在该基片上以一维方式或二维方式布置所述层叠型半导体发光 装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的