[发明专利]碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法和电子设备制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法以及电子设备制造方法，适用于例如使用碳纳米管或者碳纳米管膜的各种电子设备的制造。

背景技术

碳纳米管特别是单壁碳纳米管(SWNT)由于在电、机械、磁以及结构方面特性优良，所以正在大力地研究开发。作为单壁碳纳米管制造方法，目前为止，正在使用激光烧蚀法(非专利文献1)、电弧放电法(非专利文献2)、化学气相沉积(CVD)法(非专利文献3)等多种方法。不可避免的是：在通过这些制造方法制造的单壁碳纳米管中共存相当多的量的碳类或者金属杂质。

以前，为了从单壁碳纳米管除去杂质从而酸化，一直使用包括液相氧化(酸处理、回流等)以及电化学氧化的化学氧化(非专利文献4)。在该酸化过程中，伴随着化学的缺陷的发生，总是在单壁碳纳米管的结构上发生损伤(非专利文献5)。并且，在将单壁碳纳米管应用到纳米技术的领域时，为了使单壁碳纳米管分散，或使单壁碳纳米管溶解，常常进行超声波处理或激烈的化学反应等后处理(非专利文献3、6、7)。在该后处理的过程中，单壁碳纳米管被进一步破坏。

Liu(非专利文献8)、Wang(非专利文献9)等报告了通过在氨气(NH₃)中在1000℃下处理单壁碳纳米管从而修复有缺陷的单壁碳纳米管的结构的方法。利用该方法处理之后，通过拉曼(Raman)光谱测定的D谱带(band)的强度(I_D)与G谱带的强度(I_G)的比(I_D/I_G)减小到0.01以下，这表示单壁碳纳米管的侧壁的缺陷已经被修复。

在先技术文献

非专利文献：

非专利文献1：A.Thess，R.Lee，P.Nikolaev，H.J.Dai，P.Petit，J.Robert，C.H.Xu，Y.H.Lee，S.G.Kim，A.G.Rinzler，D.T.Colbert，G.E.Scuseria，D.Tomanek，J.E.Fischer and R.E.Smalley，Science，1996，273，483-487

非专利文献2：S.Iijima，Nature，1991，354，56-58

非专利文献3：J.L.Bahr，J.P.Yang，D.V.Kosykin，M.J.Bronikowski，R.E.Smalley and J.M.Tour，Journal of the American Chemical Society，2001，123，6536-6542

非专利文献4：P.X.Hou，C.Liu and H.M.Cheng，Carbon，2008，46，2003-2025

非专利文献5：J.Zhang，H.L.Zou，Q.Qing，Y.L.Yang，Q.W.Li，Z.F.Liu，X.Y.Guo anf Z.L.Du，Journal of Physical Chemistry B，2003，107，3712-3718

非专利文献6：D.Tasis，N.Tagmatarchis，A.Bianco and M.Prato，Chemical Reviews，2006，106，1105-1136

非专利文献7：D.Tasis，N.Tagmatarchis，V.Georgakilas and M.Prato，Chemistry，2003，9，4000-4008

非专利文献8：Y.Q.Liu，L.Gao，J.Sun，S.Zheng，L.Q.Jiang，Y.Wang，H.Kajiura，Y.M.Li and K.Noda，Carbon，2007，45，1972-1978

非专利文献9：Y.Wang，L.Gao，J.Sun，Y.Q.Liu，S.Zheng，H.Kajiura，Y.M.Li and K.Noda，Chemical Physics Letters，2006，432，205-208

非专利文献10：J.Chen，M.A.Hamon，H.Hu，Y. S.Chen，A.M.Rao，P.C.Eklund and R.C.Haddon，Science，1998，282，95-98

非专利文献11：C.Montalbetti and V.Falque，Tetrahedron，2005，61，10827-10852

非专利文献12：J.Jang，J.Bae and S.H.Yoon，Journal of Materials Chemistry，2003，13，676-681