[发明专利]无机电致发光器件无效
申请号: | 200910171748.7 | 申请日: | 2003-12-23 |
公开(公告)号: | CN101668361A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 韩仁泽 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14;H05B33/22;H05B33/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无机 电致发光 器件 | ||
1.一种无机电致发光器件,包括:
衬底;
透明电极,形成在衬底上;
无机发光层,形成在电极上;
介电层,形成在无机发光层上;以及
背电极,形成在介电层上,
其中,在介电层与背电极之间设置了电场增强层,以及
其中,电场增强层产生的电子被俘获在介电层的表面中,且跨无机发光层的电场被介电层的表面中俘获的电子增强。
2.如权利要求1所述的器件,其中电场增强层由碳纳米管或纳米颗粒形成。
3.一种无机电致发光器件,包括:
无机发光层;
上和下介电层,分别形成在发光层之上和之下,并且与发光层一起形成夹层结构;
上和下电极,分别形成在夹层结构之上和之下;以及
衬底,作为上述堆叠结构的主框架,
其中,在上电极与接触上电极的上介电层之间的界面、以及下电极与接触下电极的下介电层之间的界面中的至少一个界面处设置了电场增强层,以及
其中,电场增强层产生的电子被俘获在上和下介电层中的至少一个的表面中,且跨无机发光层的电场被上和下介电层中的至少一个的该表面中俘获的电子增强。
4.如权利要求3所述的器件,其中电场增强层由碳纳米管形成。
5.一种无机电致发光器件,包括:
第一和第二衬底,彼此相对地布置;
透明电极,形成在第一衬底上;
无机发光层,形成在透明层上;
介电层,形成在发光层上;
背电极,形成在第二衬底上;以及
电场增强层,形成在背电极上,使得其与第一衬底上的介电层相接触,
其中,电场增强层产生的电子被俘获在介电层的表面中,且跨无机发光层的电场被介电层的表面中俘获的电子增强。
6.如权利要求5所述的器件,其中透明电极、无机发光层、以及介电层形成在第一衬底上,而背电极和电场增强层形成在第二衬底上。
7.如权利要求5或6所述的器件,其中电场增强层由碳纳米管形成。
8.一种无机电致发光器件,包括:
第一和第二衬底,彼此相对地布置;
透明电极,形成在第一衬底上;
第一电场增强层,形成在透明电极上;
第一介电层,形成在透明电极上;
背电极,形成在第二衬底上;
第二电场增强层,形成在第二衬底上,使得其与第一衬底上的介电层相接触;
第二介电层,形成在第二电场增强层上;以及
无机发光层,设置在第一与第二介电层之间,
其中,第一电场增强层和第二电场增强层产生的电子被分别俘获在第一介电层和第二介电层的表面中,且跨无机发光层的电场被第一介电层和第二介电层的表面中俘获的电子增强。
9.如权利要求8所述的器件,其中透明电极、第一电场增强层、第一介电层、无机发光层、以及第二介电层形成在第一衬底上,而背电极和电场增强层形成在第二衬底上。
10.如权利要求8或9所述的器件,其中电场增强层由碳纳米管形成。
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