[发明专利]掩模及使用掩模来制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

用于遮光的第一掩模区域；

布置在该第一掩模区域内且用于形成金属线的第二掩模区域；以及

布置在该第二掩模区域内且用于形成通路接触件的第三掩模区域。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一掩模区域为暗色调区域。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二掩模区域为半色调区域。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三掩模区域为亮色调区域。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一掩模区域和所述第二掩模区域包括Cr。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二掩模区域具有约20～30％的光透射率。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二掩模区域为相移掩模。

8.一种方法，包括如下步骤：

在半导体晶片上方形成金属层；

在该金属层上方涂敷光致抗蚀剂层；

使用用于遮光的第一掩模区域、布置在该第一掩模区域内且用于形成金属线的第二掩模区域以及布置在该第二掩模区域内且用于形成通路接触件的第三掩模区域，将所述光致抗蚀剂层图案化，以形成用于形成所述金属线和所述通路接触件的光致抗蚀剂图案；以及

使用该光致抗蚀剂图案将所述金属层图案化，以同时形成所述金属线和所述通路接触件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述金属层上方涂敷光致抗蚀剂层包括在所述金属层上方涂敷负性光致抗蚀剂材料。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一掩模区域为暗色调区域。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二掩模区域为半色调区域。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述第三掩模区域为亮色调区域。

13.根据权利要求8所述的方法，包括在形成的所述金属线和所述通路接触件上方气相沉积绝缘层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述绝缘层使用正硅酸乙酯而被形成。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二掩模区域具有约20～30％的光透射率。