[发明专利]制造露出元件的功能部的半导体器件的方法无效
申请号: | 200910171773.5 | 申请日: | 2009-09-02 |
公开(公告)号: | CN101667546A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 内田建次;平泽宏希 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 露出 元件 功能 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,包括:
在晶片上形成第一树脂层,所述晶片具有设置在其中的功能部;
将所述第一树脂层图案化成预定的形状,并在所述功能部上或在 所述功能部周围形成第一树脂部;
将所述晶片分成元件;
将所述元件安装在基部的上表面上;
使密封模具的模制表面与所述第一树脂部的上表面和所述基部的 下表面形成挤压接触,并且在由所述密封模具的所述模制表面包围的 间隙部当中,将第二树脂注入在所述第一树脂部周围的所述间隙部, 以在所述第一树脂部周围形成第二树脂层;以及
去除所述第一树脂部,以使所述元件的一部分暴露于外部,
其中,在形成所述第二树脂层的所述步骤中,使所述第一树脂部 的上表面与所述第二树脂层的上表面齐平,或者使所述第一树脂部的 上表面比所述第二树脂层的上表面高出0mm以上且0.05mm以下的范 围。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,使所述元件的一部分暴露于外部的所述步骤包括将所述第 一树脂部浸入去除剂,以利用粘合带去除所述第一树脂部。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,用于所述第一树脂部的第一树脂为光固化型树脂、热固型 树脂、或光热固型树脂中的任何一种。
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,用于所述第一树脂部的固化的第一树脂的弹性模量为在 20℃的温度下等于或小于6GPa,以及在200℃的温度下等于或小于 3GPa。
5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,用于所述第一树脂部的固化的第一树脂的弹性模量为在 20℃的温度下等于或大于1GPa,以及在200℃的温度下等于或大于 10MPa。
6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,所述第一树脂部的厚度等于或大于0.1mm。
7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,所述第一树脂部的厚度等于或小于0.15mm。
8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,利用光固化型树脂、热固型树脂或光热固型树脂制成所述 第一树脂层。
9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,形成所述第一树脂部的所述步骤包括:
在所述晶片上将所述第一树脂层形成为膜;以及
将膜状的所述第一树脂层图案化成预定的形状,以在所述功能部 上或在所述功能部周围形成第一树脂膜。
10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,还包括:
在去除所述第一树脂部的所述步骤之后,将所述基部分成元件。
11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,在形成所述第二树脂层的所述步骤中,所述密封模具的所 述模制表面与所述基部的下表面以在其间夹持膜的情况下实现挤压接 触。
12.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,所述第一树脂部被形成为以使得至少覆盖整个的所述功能 部,或者所述第一树脂部被形成为框架,所述功能部的一部分或整个 的所述功能部通过所述框架露出。
13.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,所述第一树脂部为凹面构件,以及
所述凹面构件的凹面部的厚度在局部较薄。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造