[发明专利]用于液晶显示器件的阵列基板、其制造方法、以及具有其的液晶显示器件

权利要求书

1.一种液晶显示器件的阵列基板包括：

基板；

栅电极，该栅电极形成在所述基板上；

栅绝缘薄膜，该栅绝缘薄膜形成在形成有栅电极的基板上；

半导体层，该半导体层形成在形成有栅绝缘薄膜的基板上以便与栅电极 相对应；

源电极和漏电极，该源电极和漏电极在形成有半导体层的基板上彼此相 隔；

钝化层，该钝化层形成在形成有源电极和漏电极的基板的整个表面；

像素电极，该像素电极形成在钝化层之上并且通过接触孔与漏电极电连 接；以及

与所述像素电极同时形成的屏蔽薄膜，所述屏蔽薄膜位于所述钝化层上 与所述栅电极相对应，其中所述屏蔽薄膜与所述像素电极相隔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中屏蔽薄膜拦截进入到半导体 层的沟道部分中的光。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中屏蔽薄膜是由铟锡氧化物 (ITO)或铟锌氧化物(IZO)材料来形成。

4.一种液晶显示器件的阵列基板的制造方法，包括：

制备基板的步骤；

在基板上形成栅电极的第一掩模工艺步骤；

在形成有栅电极的基板上形成栅绝缘薄膜的步骤；

在形成有栅绝缘薄膜的所述基板上形成与栅电极相对应的有源层、在有 源层上形成彼此相隔的源电极和漏电极、以及在源电极和漏电极与有源层之 间形成欧姆接触层的第二掩模工艺步骤；

在形成有源电极和漏电极以及欧姆接触层的基板上形成钝化层的步骤；

在钝化层上形成接触孔以使漏电极的一部分曝露的第三掩模工艺步骤； 以及

在钝化层上形成通过接触孔与漏电极相连的像素电极以及与像素电极同 时形成且位于与栅电极相对应的位置的屏蔽薄膜的第四掩模工艺步骤。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中屏蔽薄膜是由铟锡氧化物 (ITO)或铟锌氧化物(IZO)材料来形成。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其中屏蔽薄膜拦截进入到有源层 的光。

7.一种液晶显示器件，包括：

液晶显示面板；以及

用于将光照射到液晶显示面板的光源，

其中所述的液晶显示面板包括：

具有薄膜晶体管的第一基板，所述薄膜晶体管包括栅电极、形成在栅电 极上的栅绝缘薄膜、形成在栅绝缘薄膜上的与栅电极相对应的半导体层、半 导体层上的彼此相隔的源电极和漏电极、形成在源电极和漏电极上的钝化 层、通过接触孔与钝化层上的漏电极电连接的像素电极、以及与像素电极同 时形成且位于钝化层上与栅电极相对应的位置的屏蔽薄膜；

第二基板，该第二基板与第一基板相面对并且包括滤色器和黑矩阵；以 及

形成在第一和第二基板上的有源层，

其中屏蔽薄膜拦截从光源射出的光以便防止光通过在第二基板的液晶 层、黑矩阵、以及滤色器中反射而进入到半导体层的沟道部分。

8.根据权利要求7所述的液晶显示器件，其中屏蔽薄膜是由铟锡氧化 物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)材料来形成。