[发明专利]电荷泵的充电循环方案有效
申请号: | 200910171808.5 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN101707437A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 卓煜盛 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 梁永;马铁良 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 充电 循环 方案 | ||
技术领域
本发明主要涉及集成电路,更特别地涉及闪存电路,更进一步地涉及对 用于操作闪存电路的驱动器的准备。
背景技术
近年来,闪存变得越来越流行。典型的闪存包含存储阵列,其含有大 量的按块排列的存储单元。每个存储单元都制造为包含控制栅和浮栅的场 效应晶体管。浮栅可以保持电荷,并通过薄氧化层将其与包含在衬底中的 源区和漏区隔开。可以通过从衬底穿过氧化层向浮栅上注入电子的方式向 每个存储单元充电。在擦除操作中,可以通过将电子隧穿到源区或者擦除 栅的方式将这些电荷从浮栅中移除。因此,闪存存储单元中的数据就由浮 栅中电荷的存在或消失来决定。
闪存电路(以及所有的存储电路)的共同的问题就是操作的速度。例 如,在编程操作之后,闪存电路需要预备进行读取操作。这就要求闪存电 路的驱动器被充电或放电到与对于编程操作不同的电压。充/放电的操作花 费时间来完成,并且一些充/放电操作已经成为了提高闪存电路速度的瓶 颈。例如,编程操作需要高电压,有时对于电源线需要10伏或者更高的电 压,而读取操作需要将高电压(HV)模式释放到某个较低的水平(例如, VDD)。因为放电过快是不希望的,因此从高电压到低电压的放电过程需 要相当长的时间。否则,其他电路可能会被串扰不利地影响。因此,在编 程操作之后,对于放电所需要的时间成为了闪存电路操作中的瓶颈,并且 需要改进。
发明内容
按照本发明的一方面,提供了一种操作电路的方法,包括提供含有输 入端和输出端的电荷泵;在电荷泵的输出端电荷泵送(charge-pumping)输 出电压至高电压;和将电荷泵的输出端放电到电源电压VDD。
按照本发明的另一方面,提供了一种操作电路的方法,包括提供含有 输入端和输出端的电荷泵;提供连接在输出端和具有电源电压的VDD节点 之间的开关;在存储器的编程阶段,在输出端将输出电压电荷泵送到第一 高电压;在存储器的编程阶段之后,将第一高电压放电至第二高电压,其 中第二高电压介于第一高电压和电源电压VDD之间;在将第一高电压放电 至第二高电压的步骤之后,开启开关,将电荷泵的输出端连接到VDD节点。
按照本发明的再一方面,提供了一个电路,包括含有输入端和输出端 的电荷泵;具有电源电压VDD的VDD节点;将电荷泵输出端连接到VDD 节点的开关。
按照本发明的再一方面,提供了一个电路,包括含有输入端和输出端 的电荷泵;具有电源电压VDD的VDD节点,其中电荷泵的输出端和VDD 节点相连接;连接在电荷泵的输出端和VDD节点之间的开关。该开关被配 置以在电荷泵在输出端泵送电压的第一时间阶段期间,断开电荷泵的输出 端与VDD节点的连接,并在第一时间阶段后的第二时间阶段,将电荷泵的 输出端与VDD节点连接。
本发明的优点包括:减少电池的用量和对编程操作之后立即进行的读 取操作缩短了返回待机阶段。
附图说明
为了更全面地理解本发明及其优点,现在结合附图参考下面的描述, 其中:
图1示出了电荷泵电路的示意图,其含有能够被放电至VSS的输出端;
图2示出了图1中所示电路的时序图。
图3示出了能够循环充电到VDD节点的电荷泵电路。
图4示出了图3中所示电路的时序图。
图5示出了具有多个从VDD节点接收循环充电的驱动器的电路。
图6示出了作为时间的函数的从VDD节点流出的电流,其中对图1 和图3中所示电路的VDD电流进行了比较。
具体实施方式
当前首选的实施例的制造以及使用方式,详细讨论如下。应当充分意 识到的是,本发明提供了很多可实施的发明概念,可以应用于广泛的具体 领域。此处讨论的具体实施例,仅仅是对本发明制造以及使用的具体方式 的说明,并不代表对本发明范围的任何限定。
在图1中示出了是为闪存电路提供高电压的传统电荷泵电路。电荷泵 电路10包括的由工作电压VDD供电的电荷泵12,其同时也成为电源电压 VDD。晶体管14被连接在工作电压VDD和电荷泵12之间。电荷泵12的 输出节点18,通过晶体管16被连接到(并因此可放电到)电源电压VSS。
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